G04 基础标准与通用方法 标准查询与下载



共找到 1684 条与 基础标准与通用方法 相关的标准,共 113

Surface chemical analysis Scanning probe microscopy Definition and calibration of spatial resolution of electrical scanning probe microscopy (ESPM, such as SSRM and SCM) for applications such as 2D dopant imaging

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2024-03-15
实施
2024-10-01

Surface chemical analysis Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy Methods for determining peak intensities and information required for reporting results

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2024-03-15
实施
2024-10-01

Surface chemical analysis Secondary ion mass spectrometry Repeatability and consistency of relative intensity scale for static secondary ion mass spectrometry

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2024-03-15
实施
2024-10-01

Surface chemical analysis X-ray photoelectron spectroscopy Expression of selected instrument performance parameters

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2024-03-15
实施
2024-07-01

Surface chemical analysis—General rules for glow discharge optical emission spectrometry (GD-OES)

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-12-28
实施
2024-07-01

Method for determination of dislocation density in metallic thin crystal specimens by microbeam analysis and electron microscopy

ICS
71.040.50
CCS
G04
发布
2023-09-07
实施
2024-04-01

Vocabulary for surface chemical analysis part 1: general and spectroscopic terms

ICS
01.040.71,71.040.40
CCS
G04
发布
2023-08-06
实施
2024-03-01

Surface Chemical Analysis Scanning Probe Microscopy Determination of Geometric Quantities Using Scanning Probe Microscopy: Measurement System Calibration

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-08-06
实施
2024-03-01

Guidelines for Sample Handling, Preparation, and Mounting for Surface Chemistry Analysis Part 4: Reporting Information Related to Origin, Preparation, Handling, and Mounting of Nanoobjects Prior to Surface Analysis

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-08-06
实施
2024-03-01

Glossary of Surface Chemical Analysis Part 2: Scanning Probe Microscopy Terminology

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-05-23
实施
2023-09-01

Determination of the Normal Elastic Constant of a Cantilever Beam by Surface Chemical Analysis Scanning Probe Microscopy

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-05-23
实施
2023-09-01

Chemical Analysis of Trace Elements in Bismuth Germanate (BGO) Crystals by Glow Discharge Mass Spectrometry

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-05-23
实施
2023-09-01

Total Reflection X-ray Fluorescence Spectroscopic Analysis of Water for Surface Chemical Analysis

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2023-03-17
实施
2023-07-01

Determination of specific surface area of nanotechnology graphene powder by argon adsorption static capacity method

ICS
71.040.50
CCS
G04
发布
2023-03-17
实施
2023-10-01

本文件描述了用阿贝折射仪和全自动折光率仪测定液体化工产品折光率的方法。 本文件适用于透明或半透明、温度范围在20 ℃~60 ℃ 、折光率范围在1.3000~1.7000 的液体化工产品的测定。

Liquid chemicals—Determination of refractive index

ICS
71.040.50
CCS
G04
发布
2022-10-14
实施
2023-05-01

本文件提供了仪器操作者对固体材料表面进行紫外光电子能谱分析的指导,包括样品处理、谱仪校准和设定、谱图采集以及最终报告。 本文件适用于配备有真空紫外光源的X射线光电子能谱仪的操作者分析典型样品。

Surface chemical analysis—Electron spectroscopies—Guidelines for ultraviolet photoelectron spectroscopy analysis

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2021-12-31
实施
2022-04-01 00:00:00.0

本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法,即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率,用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时,这种方法对于厚度在20nm~200nm 之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间,可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率,从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。

Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2021-12-31
实施
2022-07-01 00:00:00.0

本文件规定了如何报告X射线光电子能谱的峰拟合及其结果。 本文件适用于单个谱图或一组相关谱图的拟合,例如在深度剖析测试中采集获得的一组相关谱图。 本文件提供了一个应报告的参数列表,以实现可重复的峰拟合或对多个谱进行拟合与比较。 本文件不提供峰拟合的操作说明,也不提供应采用的拟合步骤。

Surface chemical analysis—Electron spectroscopies—Minimum reporting requirements for peak fitting in X-ray photoelectron spectroscopy

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2021-12-31
实施
2022-07-01 00:00:00.0

本文件规定了俄歇电子能谱仪动能能量标不确定度为3eV时的校准方法,用于识别表面常规元素。另外,本文件还规定了一种用于确定校准周期的方法。 本文件适用于直接模式或微分模式的仪器分辨率小于或等于0.5%,微分模式调制幅度的峰值为2eV,配有惰性气体离子枪或其他样品清洁方法,具有4keV或更高束能电子枪的谱仪。

Surface chemical analysis—Medium resolution auger electron spectrometers—Calibration of energy scales for elemental analysis

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2021-12-31
实施
2022-07-01 00:00:00.0

本文件规定了采用电子背散射衍射(e l e c t r onba cks c a t t e rd i f f r a c t i on,EBSD)法测量钢中奥氏体体积分数和形态的方法、设备、取样和试样制备、测量步骤、数据处理和检验报告。 本文件适用于分析含有晶粒尺寸50nm 以上奥氏体的中、低碳钢及中、低碳合金钢。 本文件不适用于分析晶粒尺寸小于50nm 的奥氏体,奥氏体晶粒尺寸小于50nm 会严重影响定量分析结果的准确性。 注:晶粒尺寸下限是可观察到的最小奥氏体晶粒尺寸。 晶粒尺寸下限取决于设备条件和操作参数。

Microbeam analysis—Electron backscatter diffraction—Quantitative determination of austenite in steel

ICS
71.040.40
CCS
G04
发布
2021-12-31
实施
2022-07-01 00:00:00.0



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