H66 稀有分散金属及其合金 标准查询与下载
共找到 64 条与 稀有分散金属及其合金 相关的标准，共 5 页
Gallium-based liquid metal thermal interface materials
- ICS
- 77.150.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2023-12-28
- 实施
- 2024-07-01
Recycled germanium raw materials
- ICS
- 77.120.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2023-09-07
- 实施
- 2024-04-01
本文件规定了回收铟原料的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及随行文件和订货单内容。 本文件适用于回收铟原料的回收、贸易与利用。
Recycling indium material
- ICS
- 77.150.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2022-12-30
- 实施
- 2023-07-01
本文件规定了镓基液态金属的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存,以及随行文件与订货单内容。 本文件适用于散热流体工质、导电流体工质、热界面材料、电子浆料、磁流体材料等所使用的镓基液态金属。
Gallium-based liquid metal
- ICS
- 77.150.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2021-03-09
- 实施
- 2021-10-01 00:00:00.0
Zone-refined germanium ingot
- ICS
- 77.150
- CCS
- H66
- 发布
- 2018-12-28
- 实施
- 2019-07-01 00:00:00.0
High purity germanium dioxide
- ICS
- 77.150
- CCS
- H66
- 发布
- 2017-10-14
- 实施
- 2018-05-01 00:00:00.0
本标准规定了铟废料的分类、要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及合同（或订货单）内容。 本标准适用于国内外贸易及再生有色金属使用的铟废料。
Scraps of indium
- ICS
- 77.150.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2011-06-16
- 实施
- 2012-02-01
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
- ICS
- 77.120.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-10-30
- 实施
- 2010-06-01
本标准规定了高纯镓的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单。 本部分适用于以纯度不小于99.99%工业镓为原料，经电解精炼、拉制单晶或其他提纯工艺制得的纯度不小于99.9999%的镓。产品制备化合物半导体材料和高纯合金。
High purity gallium
- ICS
- 77.150.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-10-30
- 实施
- 2010-06-01
本标准规定了锗单晶和锗单晶片的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存、订货单内容。 本标准适用于制作半导体器件、激光、外延衬底等用的锗单晶和锗单晶片。
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
- ICS
- 77.120.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-10-30
- 实施
- 2010-06-01
本标准规定了再生锗原料中锗的测定方法。 本标准适用于再生锗原料中锗的测定。测定范围：1%~99%。
Determination of germanium content in germanium renewable raw materials
- ICS
- 77.120.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-04-08
- 实施
- 2010-02-01
本标准规定了再生锗原料的质量要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容等。 本标准适用于从锗的生产、加工、使用过程中产生的可回收的再生锗原料，作为生产四氯化锗的原料。
Germanium renewable raw materials
- ICS
- 77.120.99
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-04-08
- 实施
- 2010-02-01
GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锑量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中锑量的测定，测定范围（质量分数）为0.00001％～0.0050％。
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide.Part 3:Determination of antimony content.Atomic fluorescene spectrometry
- ICS
- 77.120
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-03-19
- 实施
- 2010-01-01
GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中锡量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中锡量的测定，测定范围（质量分数）为0.00005％～0.0040％。
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide.Part 2:Determination of tin content.Phenylfluorone spectrophotometry
- ICS
- 77.120
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-03-19
- 实施
- 2010-01-01
GB/T 23364的本部分规定了高纯氧化铟的灼减量的测定方法。 本部分适用于高纯氧化铟的灼减量的测定，测定范围（质量分数）为0.05％～1.00％。
Methods for chemical analysis of high purity indium oxide.Part 6:Determination of the loss on ignition.Gravimetric analysis
- ICS
- 77.120
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-03-19
- 实施
- 2010-01-01
GB/T 23362的本部分规定了高纯氢氧化铟中砷量的测定方法。 本部分适用于高纯氢氧化铟中砷量的测定，测定范围（质量分数）为0.00001％～0.0050％。
Methods for chemical analysis of high purity indium hydroxide.Part 1:Determination of arsenic content.Atomic fluorescence spectrometry
- ICS
- 77.120
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-03-19
- 实施
- 2010-01-01
本标准规定了高纯氢氧化铟的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订货单（或合同）内容。 本标准适用于以金属铟为原料，经净化、中和、沉淀制得的高纯氢氧化铟，产品主要用于制取碱性电池、ITO及电子元件材料等。 分子式：In(OH) 相对分子质量：165.85（按2007年国际相对原子质量）
High purity indium hydroxide
- ICS
- 77.150
- CCS
- H66
- 发布
- 2009-03-19
- 实施
- 2010-01-01
