H82 元素半导体材料 标准查询与下载



共找到 117 条与 元素半导体材料 相关的标准,共 8

Annealed monocrystalline silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2022-03-09 00:00:00.0
实施
2022-10-01 00:00:00.0

Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integrated circuit

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2022-03-09 00:00:00.0
实施
2022-10-01 00:00:00.0

Photovoltaic silicon material—Determination of oxygen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2021-10-11 00:00:00.0
实施
2022-05-01 00:00:00.0

Granular polysilicon produced by fluidized bed method—Determination of hydrogen—Pulse heating inert gas fusion infrared absorption method

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2021-10-11 00:00:00.0
实施
2022-05-01 00:00:00.0

Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Silicon epitaxial wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon wafers for solar cells

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon polished wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Granular polysilicon produced by fluidized bed method

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

200mm silicon epitaxial wafer

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Solar-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-11-01 00:00:00.0
实施
2018-05-01 00:00:00.0

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2015-07-03
实施
2016-03-01

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

Electronic-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。

Germanium substrate for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15



Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号