L42 半导体三极管 标准查询与下载



共找到 279 条与 半导体三极管 相关的标准,共 19

本空白详细规范规定了制定1GHz、5W以下的单栅杨效应晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范与本空白详细规范一致。 本空白规范是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》DEC 747-10:1984)和GB/T 1260-900《半导体器件 分立器件规范》(IEC 747.11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors. Section One--Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5W and 1GHz

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
1998-11-17
实施
1999-06-01

本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》(IEC747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

ICS
33.080.30
CCS
L42
发布
1998-11-17
实施
1999-06-01

本空白详细规范规定了制定高低频放大环境额定的双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
1998-11-17
实施
1999-06-01

开关用双极型晶体管空白详细规范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
1996-07-09
实施
1997-01-01

本空白详细规范规定了制定高频放大管壳额定双极型晶体管详细规范的基本原则,制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。 本空白详细规范是与GB/T4589.1-89《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》和GB/T 12560-90《半导体器件 分立器件分规范》有关的一系列空白详细规范中的一个。

Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
1996-07-09
实施
1997-01-01

本标准等同采用国际标准IEC 747-3-1985《半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管》及其第1次修订(1991)。

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 3: Signal(including switching)and regulator diodes

ICS
31.080.10
CCS
L42
发布
1995-07-24
实施
1996-04-01

本标准给出了下列几种类型双极型晶体管的标准: --小功率信号晶体管(不包括开关用的); --功率晶体管(不包括开关和高频用的); --放大和振荡用高频功率晶体管; --开关用晶体管。

Semiconductor discrete devices and integrated circuits. Part 7:Bipolar transistors

ICS
31.080
CCS
L42
发布
1994-12-31
实施
1995-08-01

通常,本标准需要与IEC 747-1-1983《半导体器件 分立器件和集成电路 第1部分:总则》一起使用。在IEC 747-1中,可找到下列的全部基础资料: --术语; --文字符号; --基本额定值和特性; --测试方法;

Semiconductor devices. Discrete devices. Part 8: Field-effect transistors

ICS
31.080
CCS
L42
发布
1994-12-31
实施
1995-08-01

1.1主题内容 本标准给出的是关于变流器应用方面的资料,包括计算方法和有关性能的进一步说明。 1.2适用范围 本标准主要涉及电网换相变流器,所叙述的内容及计算方法均以电网换相变流器为基础。但是某些章节(例如等效结温计算、安全运行方面的资料等)亦可用于其他变流器。 本标准是GB/T3859.1的延伸和补充。其内容主要是对变流器的技术条件、性能及其变化作出说明,并给出相关背景材料及计算方法,为变流器和GB/T3859.1的应用提供方便。

Semiconductor convertors.Application guide

ICS
29.200
CCS
L42
发布
1993-12-27
实施
1994-09-01

1.1主题内容 本标准规定了半导体电力变流器的有关定义、类型、参数、基本性能和试验要求。 1.2适用范围 本标准适用于电子阀构成的电力电子变流器和电力电子开关。就运行方式而言,主要是基于电网换相的整流器、逆变器、或兼有这两种运行的变流器。 这里所说的电子阀,主要是指由电力半导体器件(如二极管、各种类型的晶闸管和电力晶体管等)构成的电路阀。这些器件一般可用电的或光的信号进行控制,并工作在开关状态。 只要没有矛盾,本标准也可作为其它类型电力电子变流器(例如自换相变流器、直流-直流变流器、电机传动用变流器、电气铁道用变流器等)的标准。一般情况下,这些类型的变流器还应在本标准的基础上制订各自的分类产品标准。

Semiconductor convertors.Specification of basic requirements

ICS
29.200
CCS
L42
发布
1993-12-27
实施
1994-09-01

Detail specification for electronic components 3DD200 type silicon NPN low frequency amplifying case rated bipolar transistors (available for certification)

ICS
CCS
L42
发布
1988-06-28
实施

Detail specification for electronic components 3DD325 silicon NPN ambient rated low frequency amplifier transistors (available for certification)

ICS
CCS
L42
发布
1988-06-28
实施

Detail Specification for Electronic Components 3DA1514 Silicon NPN Environment Rated High Frequency Amplifying Transistors (available for certification)

ICS
CCS
L42
发布
1988-06-28
实施

本标准适用于半导体分立器件的外形尺寸。

Dimensions of outlines for semiconductor discrete devices

ICS
31.080
CCS
L42
发布
1987-03-27
实施
1987-11-01

本空白详细规范适用于工业加热三极管。它与GB625586《空间电荷控制电子管总规范》一起使用。它规定了详细规范采用的格式和包括的内容。

Blank detail specification for industrial heating triodes

ICS
CCS
L42
发布
1986-04-14
实施
1987-04-01

Blank detail specification for industrial heating transistors (available for certification)

ICS
CCS
L42
发布
1986-04-14
实施
1987-04-01

Semiconductor discrete device 3CG180 type silicon PNP high frequency high back voltage low power transistor detailed specification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
2016-04-05
实施
2016-09-01

Semiconductor discrete device 3DK28 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
2016-04-05
实施
2016-09-01

Semiconductor discrete device 3DK100 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
2016-04-05
实施
2016-09-01

Semiconductor discrete device 3DK104 type NPN silicon low power switching transistor detailed specification

ICS
31.080.30
CCS
L42
发布
2016-04-05
实施
2016-09-01



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