H80 半金属与半导体材料综合 标准查询与下载



共找到 100 条与 半金属与半导体材料综合 相关的标准,共 7

Specification for establishing a wafer coordinate system

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2019-03-25 00:00:00.0
实施
2020-02-01 00:00:00.0

Specification for a universal wafer grid

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2019-03-25 00:00:00.0
实施
2020-02-01 00:00:00.0

Collection of metallographs on defects of germanium crystal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28 00:00:00.0
实施
2019-07-01 00:00:00.0

Designations of semiconductor materials

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28 00:00:00.0
实施
2019-11-01 00:00:00.0

Test method for determination of crystal defect density in PV silicon ingot and wafer

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2018-12-28 00:00:00.0
实施
2019-04-01 00:00:00.0

Collection of metallographs on defects of sapphire crystal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Collection of metallographs on defects of sapphire crystal

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Specification for alphanumeric marking of silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2017-10-14 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系,该换算关系也适用于掺锑硅单晶,还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。本标准适用于掺硼浓度10 cm~1×10 cm,掺磷浓度3×10 cm~1×10 cm,掺砷浓度10 cm~6×10 cm。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到10 cm。本标准也可用于在23 ℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算,但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算,或任何其他载流子浓度的换算。

Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的测试方法。本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录A)相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层的净载流子浓度测量。本标准也适用于硅抛光片的净载流子浓度测量。

Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-12-31
实施
2014-08-15

本标准给出了硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料的各种原生缺陷及其密切相关诱生缺陷的术语及其形貌特征图谱。分析了其产生的原因和消除方法。本标准适用于硅多晶、硅单晶、硅片和硅外延片等硅材料生产研究中各种缺陷的检验。硅器件、集成电路的生产研究也可参考本标准。

Metallographs collection for original defects of crystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-12-31
实施
2014-10-01

本标准规定了空间红外探测器用碲镉汞(HgCdTe)外延材料性能参数的测试方法和测试设备要求。本标准适用于空间红外探测器用碲镉汞外延材料的参数测试,其他用途的碲镉汞外延材料参数的测试可参照使用。

Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors

ICS
49.060
CCS
H80
发布
2013-12-17
实施
2014-05-15

本标准规定了直径不小于50 mm,厚度不小于100 μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试、本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试,且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响、

Test method for measuring flatness,thickness and total thickness variation on silicon wafers.Automated non-contact scanning

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-05-09
实施
2014-02-01

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm硅单晶的技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于由直拉法制备的硅单晶,主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13 µm及以下技术需求的300 mm硅单晶抛光片。

300 mm monocrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2013-05-09
实施
2014-02-01

2.1本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。2.2本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0.002~100)ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02~15)ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。2.3本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2012-12-31
实施
2013-10-01

本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。 本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm 和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2μm的n型和p型硅外延层厚度的测量;在降低精度情况下,该方法原则上也适用于测试 0.5μm~2μm之间的n型和p型外延层厚度。

Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2011-01-10
实施
2011-10-01

本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。 本标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片,电阻率大于0.001Ω·cm。

Practice for shallow etch pit detection on silicon

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2011-01-10
实施
2011-10-01

1.本标准规定了半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅单晶试验片的技术要求。 2.本标准涵盖尺寸规格、结晶取向及表面缺陷等特性要求。本标准涉及了50.8mm~300mm所有标准直径的硅抛光试验片技术要求。 3.对于更高要求的硅单晶抛光片规格,如:颗粒测试硅片、光刻分辨率试验用硅片以及金属离子监控片等,参见SEMI24《硅单晶优质抛光片规范》。

Specification for polished test silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2011-01-10
实施
2011-10-01

本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片(简称硅片)的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。 本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。

Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2011-01-10
实施
2011-10-01

本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。 本标准适用于线宽180nm、130nm和90nm工艺退火硅片。

Specification for silicon annealed wafers

ICS
29.045
CCS
H80
发布
2011-01-10
实施
2011-10-01



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