H82 元素半导体材料 标准查询与下载



共找到 112 条与 元素半导体材料 相关的标准,共 8

Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Silicon epitaxial wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2019-06-04 00:00:00.0
实施
2020-05-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon polished wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon wafers for solar cells

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2018-09-17 00:00:00.0
实施
2019-06-01 00:00:00.0

Granular polysilicon produced by fluidized bed method

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

200mm silicon epitaxial wafer

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-12-29 00:00:00.0
实施
2018-07-01 00:00:00.0

Solar-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2017-11-01 00:00:00.0
实施
2018-05-01 00:00:00.0

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2015-07-03
实施
2016-03-01

本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

Electronic-grade polycrystalline silicon

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-12-31
实施
2015-09-01

本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。

Germanium substrate for solar cell

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2014-07-24
实施
2015-04-01

本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。

Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15

本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。

Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15

本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于 1×10atoms/cm。

Test method for measuring phosphorus, arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15

本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析,其中硼和铝的浓度均大于1×10 atoms/cm。其他受主杂质的测量也可参照本标准。

Test method for measuring boron and aluminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-11-12
实施
2014-04-15

本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。

300 mm polished monocrystalline silicon wafers

ICS
29.045
CCS
H82
发布
2013-05-09
实施
2014-02-01



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