H82 元素半导体材料 标准查询与下载
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Casting multicrystalline silicon brick for photovoltaic solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04 00:00:00.0
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04 00:00:00.0
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Silicon epitaxial wafers
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04 00:00:00.0
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Multicrystalline silicon wafers for photovoltaic solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04 00:00:00.0
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Monocrystalline germanium and monocrystalline germanium slices
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2019-06-04 00:00:00.0
- 实施
- 2020-05-01 00:00:00.0
Monocrystalline silicon polished wafers
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2018-09-17 00:00:00.0
- 实施
- 2019-06-01 00:00:00.0
Monocrystalline silicon wafers for solar cells
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2018-09-17 00:00:00.0
- 实施
- 2019-06-01 00:00:00.0
Monocrystalline silicon for solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2018-09-17 00:00:00.0
- 实施
- 2019-06-01 00:00:00.0
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2018-09-17 00:00:00.0
- 实施
- 2019-06-01 00:00:00.0
Granular polysilicon produced by fluidized bed method
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2017-12-29 00:00:00.0
- 实施
- 2018-07-01 00:00:00.0
200mm silicon epitaxial wafer
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2017-12-29 00:00:00.0
- 实施
- 2018-07-01 00:00:00.0
Solar-grade polycrystalline silicon
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2017-11-01 00:00:00.0
- 实施
- 2018-05-01 00:00:00.0
本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS)测定光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质含量的方法。 本标准适用于光伏电池用硅材料中痕量体金属杂质铁、铬、镍、铜、锌含量的测定。各元素的测量范围见表1。
Test method for measuring metallic impurities content in silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2015-07-03
- 实施
- 2016-03-01
本标准规定了多晶硅的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书和订货单(或合同)内容。本标准适用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。
Electronic-grade polycrystalline silicon
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2014-12-31
- 实施
- 2015-09-01
本标准规定了太阳能电池用锗衬底片的要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于垂直梯度凝固法(VGF)和直拉法(CZ)制备的太阳能电池用锗衬底片(以下简称锗衬底片)。
Germanium substrate for solar cell
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2014-07-24
- 实施
- 2015-04-01
本标准规定了光伏电池用硅材料补偿度的测量和分析方法。本标准适用于光伏电池用非掺杂硅材料补偿度的测量和分析。
Test method for measuring compensation degree of silicon materials used for photovoltaic applications
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2013-11-12
- 实施
- 2014-04-15
本标准规定了利用电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料表面痕量金属杂质钠、镁、铝、钾、钙、钛、铬、铁、镍、铜、锌、钼含量的测定。各元素的测量范围见表1。
Test method for measuring surface metallic contamination of silicon materials used for photovoltaic applications by inductively coupled plasma mass spectrometry
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2013-11-12
- 实施
- 2014-04-15
本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中磷、砷和锑含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中施主杂质磷、砷和锑含量的定量分析,其中磷、砷和锑的浓度均大于 1×10atoms/cm。
Test method for measuring phosphorus, arsenic and antimony in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2013-11-12
- 实施
- 2014-04-15
本标准规定了用二次离子质谱仪(SIMS)测定光伏电池用硅材料中硼和铝含量的方法。本标准适用于光伏电池用硅材料中受主杂质硼和铝含量的定量分析,其中硼和铝的浓度均大于1×10 atoms/cm。其他受主杂质的测量也可参照本标准。
Test method for measuring boron and aluminium in silicon materials used for photovoltaic applications by secondary ion mass spectrometry
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2013-11-12
- 实施
- 2014-04-15
本标准规定了直径300 mm、p型、〈100〉晶向、电阻率0.5 Ω·cm~20 Ω·cm规格的硅单晶抛光片的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。本标准适用于直径300 mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片,产品主要用于满足集成电路IC用线宽90 nm技术需求的衬底片。
300 mm polished monocrystalline silicon wafers
- ICS
- 29.045
- CCS
- H82
- 发布
- 2013-05-09
- 实施
- 2014-02-01
