L41 半导体二极管 标准查询与下载

GB/T 21039.1-2007 半导体器件 分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。

Semiconductor devices Discrete devices Part 4-1: Microwave diodes and transistors-Microwave field effect transistors Blank detail specification

GB/T 6589-2002 半导体器件 分立器件 第3-2部分;信号(包括开关)和调整二极管电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管)空白详细规范

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准和IEC标准一起使用。 GB／T12560--1999半导体器件分立器件分规范(idt IEC 60747—11：1985) IEC 60747—10(QC 700000)：1991 半导体器件第l0部分分立器件和集成电路总规范

Semiconductor devices discrete devices Part 3-2: Signal (including switching) and regulator diodes blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)

GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分;信号(包括开关)和调整二极管 第一篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范

本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。 GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范（idt IEC 747-10:1984） GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范（idt IEC 747-11:1996）

Semiconductor devices Discrete devices Part 3: Signal(including switching) and regulator diodes Section One--Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes

GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分;整流二极管

半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管

Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2: Rectifier diodes

GB/T 15178-1994 变容二极管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定“变容二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for variable capacitance diodes

GB/T 15177-1994 微波检波、混频二极管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定“微波检波、混频二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for mircowave detectors and mixer diodes

GB/T 15137-1994 体效应二极管空白详细规范

本空白详细规范规定了制定体效应二极管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for Gunn diodes

GB/T 14863-1993 用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法

本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流了浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。 本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值（见附录B）的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。

Standard test method for net carrier density in silicon eqitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes

GB/T 13063-1991 电流调整和电流基准二极管空白详细规范

本空白详细规范规定了制订“电流调整和电流基准二极管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes

GB/T 13066-1991 单结晶体管空白详细规范

本空白详细规范规定了制订“单结晶体管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for unijunction transistors

GB/T 12562-1990 PIN 二极管空白详细规范 (可供认证用)

本空白详细规范规定了制订《PIN二极管》详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。

Blank detail specification for PIN diodes

GB 9595-1988 电子元器件详细规范 2CW412~473型硅电压调整二极管

Detailed specification for electronic components 2CW412~473 silicon voltage adjustment diodes

GB 9596-1988 电子元器件详细规范 2CW380~411型硅电压调整二极管(可供认证用)

Detail specification for electronic components 2CW380~411 silicon voltage adjusting diodes (available for certification)

GB 9525-1988 电子元器件详细规范 2CC21、2CC26型硅调谐变容二极管(可供认证用)

Detail specification for electronic components 2CC21, 2CC26 type silicon tuning varactor diodes (available for certification)

GB 9529-1988 电子元器件详细规范 2CC25、2CC30型硅频段转换变容二极管(可供认证用)

Detailed specification for electronic components 2CC25, 2CC30 type silicon band switching varactor diodes (available for certification)

GB/T 6570-1986 微波二极管测试方法

本标准适用于各种微波二极管的参数测试。 在引用本标准时，有关的具体要求应在相应的详细规范中加以规定。

Measuring methods for microwave diodes

IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管.修改件1

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

BS IEC 60747-3:2013 半导体器件.分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管

Semiconductor devices. Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes

IEC 60747-3:2013 半导体器件.第3部分:分立器件:信号二极管、开关二极管及调整二极管

This part of IEC 60747 gives the requirements for the following devices: ?C signal diodes (excluding diodes designed to operate at frequencies above several hundred MHz); ?C switching diodes (excluding high power rectifier diodes); ?C voltage-regulator diodes; ?C voltage-reference diodes; ?C current-regulator diodes.

Semiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodes

NF C96-541-6-3*NF EN 62341-6-3:2012 有机发光二极管(OLED)显示器.第6-3部分:图像质量测量方法

Organic light emitting diode (OLED) displays - Part 6-3 : measuring methods of image quality