N33 电子光学与其他物理光学仪器 标准查询与下载

GB/T 43087-2023 微束分析 分析电子显微术 层状材料截面像中界面位置的确定方法

Method for determining the interface position in cross-sectional images of layered materials using microbeam analysis and electron microscopy

GB/T 42208-2022 纳米技术 多相体系中纳米颗粒粒径测量 透射电镜图像法

本文件描述了利用透射电子显微镜图像处理和分析技术进行纳米颗粒在多相体系中分散的粒径测量方法。 本文件适用于固相多相体系中纳米颗粒的粒径测量和粒径分布。 本文件也适用于在样品制备满足透射电子显微镜观察要求时的胶体和生物组织中纳米颗粒粒径测量。

Nanotechnologies—Measurement of nanoparticle size in multiphase system—Image method of transmission electron microsopy

GB/T 15246-2022 微束分析 硫化物矿物的电子探针定量分析方法

本文件规定了电子探针测量硫化物矿物成分的仪器设备、试样制备、标样、分析测试条件的选择、谱线重叠修正、分析步骤、结果处理和检测报告。 本文件适用于在电子束轰击下稳定的硫化物矿物以及砷化物、锑化物、铋化物、碲化物、硒化物等矿物的电子探针定量分析。 本文件适用于以电子探针进行的定量分析,也适用于安装了波谱仪的扫描电子显微镜进行的定量分析。

Microbeam analysis—Quantitative analysis of sulfide minerals by electron probe microanalysis

GB/T 17360-2020 微束分析 钢中低含量硅、锰的电子探针定量分析方法

本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢(铁质量分数大于 95%)中硅、锰含量的校准曲 本标准适用于电子探针波谱仪,不适用于能谱仪。带波谱仪的扫描电镜可以参照使用。

Microbeam analysis—Method of quantitative determination for low contents of silicon and manganese in steels using electron probe microanalyzer

GB/T 34831-2017 纳米技术 贵金属纳米颗粒电子显微镜成像 高角环形暗场法

Nanotechnologies—Electron microscopy imaging of noble metal nanoparticles—High angle annular dark field imaging method

GB/T 32869-2016 纳米技术 单壁碳纳米管的扫描电子显微术和能量色散X射线谱表征方法

本标准规定了利用SEM和EDX分析单壁碳纳米管粗产品及纯化后粉末或薄膜产品的形态、元素组成、催化剂和其他无机杂质的测试方法。 本标准适用于单壁碳纳米管的特性分析，亦可用于多壁碳纳米管(multiwall carbon nanotubes，简称MWCNTs)的特性分析。

Nanotechnologies.Characterization of single-wall carbon nanotubes using scanning electron microscopy and energy dispersive X-ray spectrometry analysis

GB/T 32525-2016 光电跟踪测量设备通用规范

本标准规定了飞行器靶场跟踪测试试验中使用的光电跟踪测量设备的通用技术要求、检验规则、交货准备要求以及主要性能试验方法。 本标准适用于飞行器靶场跟踪测试试验中使用的光电跟踪测量设备的设计、生产、试验和验收。

General specification for photoelectric tracking and measuring equipment

GB/T 32526-2016 方位垂直传递装置通用规范

本标准规定了航天器发射平台基准信息的测量中使用的方位垂直传递装置的通用技术要求、检验规则、交货准备要求以及主要性能检验方法。 本标准适用于航天器发射平台基准信息的测量中使用的方位垂直传递装置的设计、生产、试验和验收。

General specification for the equipment of passing azimuth angle vertically

GB/T 30543-2014 纳米技术 单壁碳纳米管的透射电子显微术表征方法

本标准规定了单壁碳纳米管的透射电子显微术表征形貌的方法,及识别单壁碳纳米管样品中其他材料元素组成的能谱法。本标准适用于检测单壁碳纳米管的基本结构,包括形貌、缺陷、直径分布、管束大小和取向、结晶情况,以及元素组分和手性分析等。

Nanotechnologies.Characterization of single-wall carbon nanotubes using transmission electron microscopy

GB/T 26533-2011 俄歇电子能谱分析方法通则

本标准规定了以电子束为激发源的俄歇电子能谱（AES,Auger Electron Spectroscopy）的一般表面分析方法。 本标准适用于俄歇电子能谱仪。

General rules for Auger electron spectroscopic analysis

GB/T 17362-2008 黄金制品的扫描电镜X射线能谱分析方法

Scanning electron microscope X-ray energy spectrum analysis method for gold products

GB/T 23414-2009 微束分析.扫描电子显微术.术语

本标准定义了扫描电子显微术(SEM)实践中使用的术语。包括一般术语和按技术分类的具体概念的术语，也包括已经在ISO 23833中定义的术语。 本标准适用于所有有关SEM实践的标准化文件。另外，本标准的某些术语定义，也适用于相关领域的文件〔例如:电子探针显微分析(EPMA)、分析电子显微术(AEM)、能谱法(EDX)等〕。

Microbeam analysis.Scanning electron microscopy.Vocabulary

GB/T 18151-2008 激光防护屏

本标准详细说明了永久和临时 ( 例如维修时 ) 用来围封激光加工机工作区域的激光防护屏以及专用激光防护屏的要求。 本标准适用于包括目视透明屏及视窗、平板、激光帘和壁在内的一个防护屏的全部组件。对光路组件、快门和不完全围封加工区的激光产品防护罩的要求包含在 GB 7247.1 中。 本标准还指出了： a) 如何评估和规范激光防护屏的防护性质 ; b) 如何选择激光防护屏。

Laser guards

GB/T 22572-2008 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法

本标准详细说明了在 SIMS 深度剖析中，用多 8 层参考物质评估前沿衰变长度、后沿衰变长度和高 斯展宽三个深度分辨参数的步骤。 由于样品表面的物理和化学态受一次人射离子影响而不稳定，本标准不适用于近表面区域的8 层。

A Method for Estimating Depth-Resolved Parameters Using Multi-delta Layered Reference Materials for Secondary Ion Mass Spectrometry in Surface Chemistry

GB/T 15247-2008 微束分析.电子探针显微分析.测定钢中碳含量的校正曲线法

本标准规定了用电子探针测定碳钢和低合金钢（其他合金元素质量分数小于2%）中碳含量的校正曲线法。本标准包含试样制备、X-射线检测、校正曲线建立以及碳含量检测不确定度的评估。本标准适用于测定碳的质量分类小于1%的钢的碳含量，当含碳量高于1%时检测准确度会受到很大的影响，不适用于本标准。 本标准适用于垂直入射方式和波谱仪，不适用能谱仪。

Microbeam analysis.Electron probe microanalysis.Guidelines for determining the carbon content of steels using calibration curve method

GB/T 20726-2006 半导体探测器X射线能谱仪通则

本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器和信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪（EDS）特性最重要的量值。本标准仅适用于国态电离作用原理的半导体探测器EDS。本标准只规定了与电子探针（EPMA）或扫描电镜（SEM）联用的此类EDS的最低要求，至于如何实现分析则不在本标准的规定范围之内。

Instrumental specification for energy dispersive X-ray spectrometers with semiconductor detectors

GB/T 20307-2006 纳米级长度的扫描电镜测量方法通则

本标准规定了用扫描电镜测量纳米级长度的基本原则。适用于测量10nm～500nm的点或线的间距。

General rules for nanometer-scale length measurement by SEM

GB/T 20175-2006 表面化学分析.溅射深度剖析.用层状膜系为参考物质的优化方法

为使俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和二次离子质谱的仪器设定达到深度分辨的优化目的，本标准采用适当的单层和多层膜系参考物质，提供优化溅射深度剖析参数的指南。 特殊多层膜系（如各种掺杂层膜系）的使用不包括在本标准内。

Surface chemical analysis.Sputter depth profiling.Optimization using layered systems as reference materials

GB/T 20176-2006 表面化学分析.二次离子质谱.用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓度

本标准详细说明了用标定的均匀掺杂物质（用注入硼的参考物质校准）确定单晶硅中硼的原子浓度的二次离子质谱方法。它适用于均匀掺杂硼浓度范围从1×10atoms/cm～1×10atoms/cm。

Surface chemical analysis.Secondary-ion mass spectrometry.Determination of boron atomic concentration in silicon using uniformly doped materials

GB/T 19500-2004 X射线光电子能谱分析方法通则

本标准规定了X射线光电子能谱（XPS、X-ray Photoelectron Spectroscopy 或ESCA，Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）的一般表面分析方法以及相关的表面化学分析术语的含义，适用于X射线光电子能谱仪。

General rules for X-ray photoelectron spectroscopic analysis method