31.080.10 二极管 标准查询与下载
共找到 343 条与 二极管 相关的标准，共 23 页
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准和IEC标准一起使用。 GB／T12560--1999半导体器件分立器件分规范(idt IEC 60747—11：1985) IEC 60747—10(QC 700000)：1991 半导体器件第l0部分分立器件和集成电路总规范
Semiconductor devices discrete devices Part 3-2: Signal (including switching) and regulator diodes blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes (excluding temperature-compensated precision reference diodes)
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 2002-12-04
- 实施
- 2003-05-01
本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一，并应与下列国家标准一起使用。 GB/T 4589.1-1989 半导体器件 分立器件和集成电路总规范（idt IEC 747-10:1984） GB/T 12560-1999 半导体器件 分立器件分规范（idt IEC 747-11:1996）
Semiconductor devices Discrete devices Part 3: Signal(including switching) and regulator diodes Section One--Blank detail specification for signal diodes,switching diodes and controlled-avalanche diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 2000-10-17
- 实施
- 2001-10-01
本空白详细规范规定了制定环境或管壳额定整流二极管（包括雪崩整流二极管）详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes. Section One--Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, up to 100A
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L43
- 发布
- 1998-11-17
- 实施
- 1999-06-01
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
Semiconductor devices. Discrete devices and integrated circuits. Part 2: Rectifier diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1997-10-07
- 实施
- 1998-09-01
国际电工委员会电子器件质量评定体系遵循国际电工委员会的章程，在国际电工委员会授权下开展工作。评定体系的目的是以这样一种方式确定质量评定程序，即一个成员国按照符合适用范围要求所放行的电子器件在其他成员国内无需再试验同样为合格。 本空白详细规范是半导体器件-系列空白详细规范的一个，应该和国际电工委员会的如下规范一起使用。 IEC747-10/QC700000（1991）半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 IEC747-11/QC750100（1985）半导体器件第11部分：分立器件分规范。要求的资料
Blank detail specification for rectifier diodes (including avalanche rectifier diodes), ambient and case-rated, for currents greater than 100A
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- K46
- 发布
- 1997-06-28
- 实施
- 1998-03-01
本标准等同采用国际标准IEC 747-3-1985《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》及其第1次修订（1991）。
Semiconductor devices--Discrete devices. Part 3: Signal(including switching)and regulator diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L42
- 发布
- 1995-07-24
- 实施
- 1996-04-01
本空白详细规范规定了制定“变容二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for variable capacitance diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1994-08-20
- 实施
- 1995-04-01
本空白详细规范规定了制定“微波检波、混频二极管”详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for mircowave detectors and mixer diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1994-08-20
- 实施
- 1995-04-01
本空白详细规范规定了制定体效应二极管详细规范的基本原则，制定该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for Gunn diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1994-06-25
- 实施
- 1995-04-01
本空白详细规范规定了制订“电流调整和电流基准二极管”详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for current-regulator and current-reference diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1991-07-06
- 实施
- 1992-03-01
本空白详细规范规定了制订发光二极管详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。
Blank detail specification for light emitting diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L45
- 发布
- 1990-12-06
- 实施
本空白详细规范规定了制订《PIN二极管》详细规范的基本原则，制订该范围内的所有详细规范应与本空白详细规范一致。
Blank detail specification for PIN diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1990-12-06
- 实施
- 1991-10-01
本标准适用于各种微波二极管的参数测试。 在引用本标准时，有关的具体要求应在相应的详细规范中加以规定。
Measuring methods for microwave diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- L41
- 发布
- 1986-07-22
- 实施
- 1987-07-01
本标准规定了硅光电倍增管性能测试方法，包括测试目的、测试步骤、测试要求、测量方法等 本文件适用于SiPM性能的测试，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。
Silicon photomultiplier tube performance testing method
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- C397
- 发布
- 2024-02-04
- 实施
- 2024-02-04
本标准界定了硅光电倍增管（Silicon Photomultiplier, SiPM）可靠性评定的一般要求和试验方法。 本标准适用于所有硅光电倍增管的可靠性评估，与芯片尺寸、像素数目、封装形式无关。其他类型的雪崩器件可参照执行。
Silicon photomultiplier tube reliability assessment method
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- C397
- 发布
- 2024-02-04
- 实施
- 2024-02-04
本文件规定了单色Micro LED的光学特性测试方法。
Micro LED optical characteristics test method
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- C397
- 发布
- 2023-04-18
- 实施
- 2023-04-18
本文件规范规定了高性能数据备份与恢复系统技术的术语和定义、技术要求和测试要求。 本文件规范适用于对高性能数据备份与恢复系统技术产品的研制、生产、测试以及评估与认证。
Nano-scale high-factor optical thermal conductivity filled LED packaging technical specification
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- C398
- 发布
- 2023-04-14
- 实施
- 2023-04-29
General rules of light emitting diodes for fiber optic transmission
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 20220720
- 实施
- 20220720
ESD/TVS静电保护类器件测试规范 1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 3.1 静电阻抗器Electro-Static Discharge 3.2 瞬态抑制二极管Transient Voltage Suppressor 3.3 击穿电压Breakdown Voltage 3.4 反向截止电压Reverse Stand-Off Voltage 3.5 反向脉冲峰值电流Peak Pulse Current 3.6 箝位电压Clamping Voltage 3.7 反向脉冲峰值功率 Reverse pulse peak power 3.8 结电容Junction capacitor 3.9 反向漏电流 Current Intensity Reverse 3.10 I-V特性曲线 3.11 C-V特性曲线 3.12 传输线脉冲 Transmission Line Pulse 4 分类型号 4.1 分类 4.2 型号 5 测试方法 5.1 总则 5.2 测试目的 5.3 测试条件 5.4 测试设备和装置 5.5测试关键指标 5.6 测试内容 5.7 关键参数示例 附录 A ESD/TVS静电保护类器件测试方法 A.1 测试条件 A.2 测试设备 A.3测试步骤 A.4 测试结果分析 A.5测试数据记录 参考文献
ESD/TVS electrostatic protection device test specification
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- C389
- 发布
- 2022-04-11
- 实施
- 2022-04-12
Semiconductor devices — Part 2: Discrete devices — Rectifier diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- 发布
- 2021-12-29
- 实施
