Keithley 2430*Keithley 2430*Keithley 2430回收

★ 吉时利2430 数字源表特点：
● 2400系列提供宽动态范围：10pA to 10A, 1μV to 1100V, 20W to 1000W
● 四象限工作
● 0.012%的精确度，5½的分辨率
● 可程控电流驱动和电压测量钳位的 6位线电阻测量
● 在4½数位时通过GPIB达1700读数/秒
● 内置快速失败/通过测试比较器
● 可选式接触检查功能
● 数字I/O提供快速分选与机械手连接 GPIB, RS-232, 和触发式连接面板

★ 吉时利2430 数字源表应用：
⊙ 用在器件上：
● 离散半导体器件
● 无源器件
● 暂态抑制器件
● IC、RFIC、MMIC
● 激光二极管、激光二极管模块、LED、光电检测器
● 电路保护器件:
● TVS、MOV、熔丝
● 安全气囊
● 连接器、开关、继电器

⊙ 用在测试方面：
● 漏流
● 低压、电阻
● LIV
● IDDQ
● I-V特征分析
● 隔离与轨迹电阻
● 温度系数
● 正向电压、反向击穿、漏电流
● 直流参数测试
● 直流电源
● HIPOT
● 介质耐受性

最新的半导体器件结构设计和试验低电阻、低功耗半导体器
输出极低电流和测量极低电压分析现代材料、半导体和纳米电子元件的电阻
低阻测量(低至10nΩ)分析导通电阻参数、互连和低功率半导体。
用于先进CMOS技术的脉冲可靠性测试
高K栅极电介质电荷俘获行为的脉冲特性分析
用6线欧姆测量技术进行更高准确度的电阻测量
配置分立电阻器验证测试系统
电信激光二极管模块的高吞吐率直流生产测试
多台数字源表的触发器同步
高亮度、可见光LED的生产测试
OLED显示器的直流生产测试
在运行中第5次测量用于偏置温度不稳定特性分析
数字源表的缓冲器以及如何用这两个缓冲器获取多达5000点数据
连接器的生产测试方案
射频功率晶体管的直流电气特性分析

1. MOS 电容器
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
掺杂类型 – 氧化层厚度 – 平带电压 – 阈值电压 – 衬底掺杂 – 最大耗尽层宽度 – 反型层到平衡的灵敏度：电压扫描率和方向 – 光效应和温度效应。
I-V 曲线分析：
电荷建立 (测量电压 - 时间图，用低电流源)； 氧化层电容测定； 与 C-V 曲线比较。
C-V 曲线 (准静态) 结合 C-V 曲线：
表面电位 Ψs 与施加电压的关系 – Si (100) 的表面态密度 Dit = f (Ψs) 与 Si (111) 的相比：方向和后处理退火的影响。
C-V 曲线 (高频：100kHz)：
移动氧化层电荷密度 (偏压温度应力：200°C，10 分钟，±10V)

2. 双极结型晶体管
主题
正向共发射极输出特性：Ic = f (Vce>0,Ib), Iceo (f) 测量。
正向 CE 输入特性：Ib = f (Vbe) 对于几个 Vce 正值。
正向 Gummel 曲线： log Ic, log Ib = f(Vbe >0).
确定增益 βf = Ic/Ib 和 af。
Βf 与 log(Ic) 的关系： 低注入和高注入的效果。
非理想特性：尔利电压。
反向 CE 输出特性： Ic=f(Vce<0,Ib), Iceo(r).
反向 CE 传输特性：Ib=f(Vbe) 对于几个Vce负值。
反向 Gummel 曲线： logIe, logIb=f(Vbc>0).
确定增益 βr = Ie/Ib 和 ar。
Βr 与 log(Ie) 的关系： 低注入和高注入的效果。
Vce(sat) = Vbe(on) – Vbc(on) 确定，对于给定的 Ib 电流。
Ebers Moll 模型构建并且与实验做比较。
BE 和 CE 结的 C-V 特性分析。基区掺杂浓缩。