重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象
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下一篇 2008-10-09 23:07:23/ 个人分类：质谱学报
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《
质谱学报》2006年01期
重掺砷硅单晶中
痕量硼二次离子质谱定量
分析的异常现象
方培源
在用二次离子质谱(SIMS)进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时,有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高,接近1016atom/cm3的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离,硼浓度就降到正常范围<1×1014atom/cm3。按重掺砷硅单晶制备工艺过程,硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的,而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n+外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。
【作者单位】：复旦大学材料
科学系 上海200433
【关键词】：痕量硼;重掺
砷单晶硅;SIMS定量分析;硅中氧
【分类号】：O657.63
【DOI】：cnki:ISSN:1004-2997.0.2006-01-005
【正文快照】：
硼的熔点和沸点都比硅高,在硅熔体中难以蒸发。硼在硅中的分凝系数接近1,固熔度较大,因此是最理想的P型硅的掺杂元素。但在n型硅单晶拉制工艺流程中可能引入的硼
污染将会影响硅单晶的质量。现在CMOS工艺已成为IC的主流,所使用的n/n+外延片衬底一般取自直拉单晶硅。在重掺As单晶
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TAG: 痕量硼砷单晶硅
