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金刚石研磨液配方

上一篇 / 下一篇 2012-12-27 14:42:00

硅材料的制备包括定向切割、磨片、抛光等,其中切片之后要进行研磨, 研磨机的结构。由于切片之后的硅单晶片还不具有合乎半导体制造过程中所需要的曲度、平坦度与平行度, 又因为要求硅单晶片在抛光过程中表面磨除量仅约 5 μm,所以抛光无法大幅度改善硅单晶片的曲度与平行度。这使得研磨成为在硅单晶片抛光之前, 能够有效地改善硅片的曲度、平坦度与平行度的关键工艺。硅片经切割研磨后表面产生大量的机械损伤, 这些机械损伤可分为上下两层。上层的损伤层较薄, 约占厚度的 1/10, 包含细微裂纹和网络位错; 下层为弹性形变层。这些机械损伤若残留在硅片表面会在后来的工艺 (如氧化过程) 中将产生氧化诱导层错等缺陷。

切削液参考配方（仅供参考）

组分	质量比
妥尔油	4-8%
氯化石蜡	3-8%
PEG	1~3%
NP-10	4-8%
十二烷基苯磺酸钠	5-8%
石油磺酸钠	1-3%
三乙醇胺	1~2%
BHT	0~1%
二乙二醇丁醚	1~2%
柠檬酸	1~2%
有机硅消泡剂	0.1-0.5%
基础油	余量