化学吸附和物理吸附特性比较

化学吸附和物理吸附特性比较 

化学吸附和物理吸附都是因硅片表面的悬挂键吸附力场形成的。化学吸附的平衡距离比物理吸附的小。物理吸附的吸附热一般仅为几十J，而化学吸附的吸附热为100～1000J，两者相差甚远。

化学吸附的特点是，杂质离子和硅片表面之间依靠化学键力结合，杂质离子和硅片表面原子力所达到的平衡距离极小，以至可以认为这些杂质离子已成为硅片整体的一部分。由于化学吸附力较强，所以比分子型物理吸附杂质难消除。特别是金、铂等重金属原子不容易和一般酸性溶液起化学反应，必须采用王水之类的腐蚀液使之形成络合物溶于高纯水中加以清除。 

物理吸附的特点是，杂质分子与硅表面的接触通常是依靠静电力来维持。结合力和分子型晶体结构的范德瓦尔斯引力一样。这种引力较弱，且随分子间距的增加很快减弱。所以这种力所涉及的范围只有2～3Å左右，要彻底清除这种杂质并不困难。