DLS-83D深能级瞬态谱仪

　　深能级瞬态谱（Deep Level Transient Spectroscopy）是半导体领域研究和检测半导体杂质、缺陷深能级、界面态等的重要技术手段。根据半导体P-N 结、金-半接触结构肖特基结的瞬态电容（△C～t）技术和深能级瞬态谱（DLTS）的发射率窗技术测量出的深能级瞬态谱，是一种具有很高检测灵敏度的实验方法，能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描，可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度（即能量）分布的DLTS 谱。

　　DLS-83D集成多种全自动的测量模式及全面的数据分析，可以确定杂质的类型、含量以及随深度的分布，也可用于光伏太阳能电池领域中，分析少子寿命和转化效率衰减的关键性杂质元素和杂质元素的晶格占位，确定是何种掺杂元素和何种元素占位影响少子寿命。该仪器测量界面态速度快，精度高，是生产和科研中可广为应用的测试技术。

主要特点

• 探测灵敏度高
• 可直接求出界面态按能量的分布
• 可分别测定界面态能级和体内深能级
• 可分别测定俘获截面与能量、温度的关系

性能指标

• 温度范围：20K ~ 320K
• 温度稳定性：0.1K
• 温度精度：< 1K 或 1%
• 测试电容：1 ~ 10000pF
• 电容灵敏度：2*10^-5pF
• 相角稳定性：0.001°
• 检测灵敏度：<1010atoms/cm³

应用领域

• 检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。