WT-1000B 单点少子寿命测试仪

　　少子寿命是描述半导体 材料特征方程的基本参数之一,对器件特性的精确描述起着重要作用,特别是对以PN结为基本结构的器件,额外载流子的产生与复合在PN结的状态转换过程中起着决定性的作用,因而少子寿命是决定PN结型器件工作特性的关键材料参数之一。

　　太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命.少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结,受PN结电场分离后对外产生光电流,同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压,所以大部分生产商都在生产前检验原始材料的一些关键性参数,光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试,通过对原始材料的寿命测量预测成品太阳电池的效率。

　　WT-1000B少子寿命测试仪采用微波光电导衰减法（ASTM国际标准-1535）的测试原理，提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试，主要是通过904nm波长的激光激发出硅片,硅棒或硅锭体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而判断该硅片,硅棒或硅锭的缺陷、沾污情况。该设备主要应用于硅棒，硅片的出厂、进厂检查，生产工艺过程的沾污检测等。特别是在太阳能领域，少子寿命将直接关系到成品电池的效率，是必备的检测手段。

　　少子寿命测量仪可测量半导体的少子寿命。少子寿命值反映了太阳电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度。少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性参数，它对晶体硅太阳能电池的光电转换效率有重要的影响，可以说硅电池的转化效率和少子寿命成正向相关对应关系。

　　少子寿命测量仪采用微波光电导衰减法（SEMI国际标准-1535）的测试原理，即通过激光激发出硅体内的非平衡载流子，再通过微波反射的探测手段来测试少数载流子引起的电导率的变化，从而计算出少子寿命值，为半导体提供低成本、快速、无接触、无损伤的少数载流子寿命的测试。该仪器测量少子寿命的精度达到ns级，分辨率达1%，测试结果准确性好、重复性高，完全能满足太阳能级硅电池的少子寿命测试。目前该方法是最受市场接受的少子寿命测试方法

主要特点：

• 适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm
• 全自动操作及数据处理
• 对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理
• 能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭
• 可以选择测试样品上任意位置
• 能提供专利的表面化学钝化处理方法
• 对各道工序的样品均可进行质量监控：

硅棒、切片的出厂、进厂检查
扩散后的硅片
表面镀膜后的硅片以及成品电池

　　
性能指标：

• 测试材料： 硅、锗等
• 样片电阻率范围： 0.1 - 1000Wcm
• 激光波长： 904nm
• 光斑直径： 10mm²
• 微波源： 可调频率10.3GHz
• 少子寿命测试范围： 100ns - 20ms
• 测试分辩率： 0.1%
• 测试时间： 30ms/数据点
• 可以提供单点或连续测试

主要应用：

　　材料的质量控制

• 硅片、棒的出厂、进厂检查
• 硅片的重金属沾污测试

　　工艺过程质量控制

• 生产过程中的硅片质量监测

氮化物镀膜
金属化
磷扩散