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日本电子株式会社(JEOL)
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | JSM-IT800 |
| 品牌： | 日本电子 | 产地： | 日本 |
| 关注度： | 5243 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 电子枪类型 | 冷场发射 |
| 二次电子图象分辨率 | 0.5nm (15 kV)、0.7nm (1 kV) | 放大倍数 | × 25 ～ × 2,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960 pixels display) |
| 电子光学 | 无漏磁物镜 | 样品台 | 全对中测角样品台、5轴马达驱动 X：70mm Y：50mm Z：2mm～25mm 倾斜－5～＋70° 旋转360° |
| 探测器 | 高位探测器等 | 背散射电子图像分辨率 | 1.5nm |
| 加速电压 | 0.01kV ～ 30kV |
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应用实例
低加速电压下的观察
到达样品的能量从10 eV开始就可以观察。下面将到达样品的能量设定为80 eV进行实例观察：一个碳原子厚度的石墨薄片的表面
Specimen: Graphene
样品: 石墨烯 到达能量80eV
能量选择
UED和USD能同时获取背散射电子像(左图)和二次电子像(右图)，因此可以精确地解释图像。二次电子像主要反映形貌信息，金颗粒和TiO2的衬度没有明显不同，而背散射电子像中原子序数高的金颗粒则显得明亮。
背散射电子像 BE image
二次电子像 SE image
样品: 金负载型TiO2催化剂(2kV)g
利用GBSH观察
利用GBSH对样品施加高偏压，像差将会减小，图像的高分辨率会更高。能清楚地观察到介孔二氧化硅里中的微孔(下图)。
样品：介孔二氧化硅 到达样品的能量: 1keV
观察磁性材料样品
SHL物镜能抑制磁场的泄漏，因此即便是磁性材料的样品，也可以用极低的入射电子能量很容易地进行高分辨率观察 。
样品: 磁铁矿纳米颗粒 到达样品的能量: 1keV
磁性样品的EBSD测试
SHL没有磁场泄漏的影响，也很适合于EBSD。象下图所示那样，通过反极图能准确地确定晶体的取向。
分析点数: 118585
尺寸: Xzei大: 80.00微米, Y zei大: 79.89微米,步长: 0.25微米, 相: Nd2Fe14B
从样品中获得的EBSD花样实例( 在任意点上获取)
ND TD RD
产品规格：
| 分辨率 | 0.5-0.7 nm (15 kV)、0.7-1.2 nm (1 kV) | ||
| 倍率 | × 25 ～ × 2,000,000(120mm x 90mm photograph size); | ||
| 加速电压 | 0.01kV ～ 30kV | ||
| 束流 | 几pA～300nA或以上 | ||
| 自动光阑角最佳控制透镜 | 内置 | ||
| 减速模式 | 可配 | ||
| 样品台（标准） | 全对中测角样品台、5轴马达驱动 X：70mm Y：50mm Z：2mm～25mm 倾斜－5～＋70° 旋转360° | ||
主要选配件
能谱仪（EDS)
波谱仪（WDS）
电子背散射衍射系统（EBSD)
阴极荧光系统（CLD）
主要特点:
超高的分辨率0.5 nm (15 kV) and 0.7 nm (1 kV).
高速精确分析能力
稳定的大束流
从磁性样品到非导体样品使用范围广泛
技术指标：
分辨率:0.8nm (15kV)1.2nm (1kV)
放大倍数:25 to 2,000,000x
加速电压:0.01 to 30kV
束流强度:300 nA（15kV)以上
电子枪:浸没式热场发射电子枪
物镜设计:超级混合式物镜
样品台:5轴马达驱动
JSM-IT800 热场发射扫描电子显微镜
配备了新开发的超级混合式物镜(SHL)，在保持极高的可操作性的同时，实现了低加速电压下的高分辨率，电子源采用浸没式（in-lens）肖特基场发射电子枪，因而能以大束流电流进行稳定的分析。
产品特点：
配备了新开发的超级混合式物镜(SHL)，在保持极高的可操作性的同时，实现了低加速电压下的高分辨率，电子源采用浸没式（in-lens）肖特基场发射电子枪，因而能以大束流电流进行稳定的分析。
通过超级混合式物镜(SHL)进行高分辨率观察
物镜采用的是静电场和静磁场叠加的超级混合式物镜(SHL)，由于减少了色差及球差，极大地提高了低加速电压下的分辨率。此外，SHL不会对样品形成磁场影响，因此观察磁性材料的样品和进行EBSD测试可以不受制约。
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
