C-NANO 是一款杰出的高分辨型CMOS EBSD, 它的采集速度比基于CCD的高分辨EBSD探测器有显著提高。更快采集速度能达到400点/秒，同时花样分辨率......
牛津仪器C-Nano+ EBSD高效多功能探测器牛津仪器电子背散射衍射系统EBSD系统, C-NANO 是一款杰出的高分辨型CMOS EBSD, 它的采集速度......
牛津仪器电子背散射衍射系统EBSD系统, C-NANO 是一款杰出的高分辨型CMOS EBSD, 它的采集速度比基于CCD的高分辨EBSD探测器有显著提高。C......
升级换新 | 全能型CMOS EBSD探测器Symmetry S2开启新篇章随着材料科学的不断发展，传统的CCD-EBSD已经不能满足广大用户的使用需求。为了提......
Symmetry S2探测器内光纤传导光学系统提供了优异的灵敏度，带来低束流条件下的快速分析速度，对于束流敏感和挑战性样品同样能得到出色结果，短时间内......
Symmetry S2分析速度可达到4500点/秒，可在几秒钟之内实现织构和晶粒度表征，同时不需要高束流或牺牲花样分辨率。所以，不仅针对常规应用，还可轻松应对大......
针对CCD EBSD老用户，我们制定了一套产品升级和服务的完整解决方案，以帮助不同行业实验工作者更好地发挥EBSD在分析工作中的效用！Symmetry S2采用......
随着材料科学的不断发展，传统的CCD-EBSD已经不能满足广大用户的使用需求。为了提高EBSD的性能，牛津仪器对其软硬件性能均做出了显著的改进和升级。基于CMO......
技术特点【技术特点】-- 牛津仪器AZtecTEM软件 AZtecTEM 是一款专为透射电镜用EDS分析而设计的软件。 AZtecTEM 是一种用于表征纳米级材......
功能强大尽可能发挥新一代大面积 X-MaxN SDDs 的潜力 -在计数率低时提供高灵敏度，在计数率高时提供高输出效率。多探测器系统（取决于TEM和具体配置）......
AZtecTEM 是一种用于表征纳米级材料的分析系统。凭借牛津仪器超过30年的TEM技术经验，Aztec几乎可以满足您对TEM新一代EDS系统的任何需求。&nb......
牛津仪器透射电镜TEM, AZtecTEM 是一种用于表征纳米级材料的分析系统。凭借牛津仪器超过......
新一代的Ultim Max探测器是实时元素导航的关键，它是大面积SDD性能的飞跃，其灵敏度和速度分别是现阶段最好的SDD探测器的两倍和四倍。它的探测器面积最多达......
当您感觉EDS领域已经无法提供新产品的时候，AZtecLive实现了实时EDS样品观察的功能。通常我们利用SEM样品台移动样品，在快速扫描模式的电子图像上寻找感......
AZtecLive·实时元素成像·通过Live Trace记录分析过的每一个位置，方便回溯感兴趣的元素及位置·最大170mm2探测器·定量分析最大计数率达到40......
AZtecLive实现能谱实时元素成像牛津仪器在2017年8月21日牛津仪器纳米分析论坛（宜昌站）上发布了一款能谱实时元素成像系统，为扫描电镜实现元素实时观察和......
AZtecLive的硬件是强大的Ultim Max系列能谱，结合新一代的SDD探测器和Extreme的电子电路，提供了高性能的速度和灵敏度。应用实例金属3D打印......
Ultim Max采集效率可达以往的17倍，而且不会降低精度。无论您是想做更大区域的面扫描，或者在每个点分析中获得更好的统计数据，更快地采集数据，还是研究最小......
速度-低噪音电子元器件和X4脉冲处理器的结合，使Ultim Max能够在1,500,000 cps的计数率下对样品进行面分析，并在400,000 cps计数率......
Ultim Max 新一代硅漂移型探测器（SDD)为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种......
Ultim Max是新一代硅漂移型探测器（SDD)，配有大面积晶体和低噪音电子元器件，分析速度和探测灵敏性都有大幅提升。最大晶体有效面积170mm2，极大提高......
牛津仪器Ultim Max 新一代硅漂移型探测器（SDD) Ultim Max是新一代硅漂移型探测......
硅漂移探测器工作原理为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入p型半导体材料,进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的......
为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入p型半导体材料,进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的探测效率，故一般采用......
Xplore TEM专门为120kV和200kV TEM的常规应用而设计的SDD能谱探测器。使用新的 80 mm2 传感器，聚合物薄窗口和低......
Ultim Max TEM用于纳米尺度分析和元素面分布的SDD能谱探测器。在任何情况下，使用新型的中端80mm2传感器都能更接近样品，提供更多的X射线计数。结合......
牛津仪器X-Max TEM 大面积硅漂移探测器Ultim Max TLE我们TEM的旗舰款SDD能谱探测器，经过设计优化，提高了小束斑下的计数率，可表征原子尺度......
Xplore 15/30探测器于2020年进入牛津仪器的EDS大家族，可以为所有用户提供实时元素分析或实时元素成像分析，检测效率及数据准确性更高，为您的SEM带......
牛津仪器推出专为扫描电镜配置的Xplore 15/30能谱仪Xplore是SEM常规分析所用新一代EDS探测器。探测器有效晶体面积为15/30mm2 ......
Xplore EDS能谱仪探测器高通量、紧凑型 SDD 设计，适合SEM中常规的微观分析15mm2 或30mm2 活区面积能量分辨率保证 M......
Xplore 15/30探测器于2020年进入牛津仪器的EDS大家族，可以为所有用户提供实时元素分析或实时元素成像分析，检测效率及数据准确性更高，为您的SEM带......
牛津仪器Xplore能谱探测器 Xplore是SEM常规分析所用新一代EDS探测器。探测器有效晶体面积为15/30mm2 ，应用范围广泛。Xplore......
牛津仪器SEM专用颗粒物分析系统 —AZtecFeature SEM专用颗粒物分析系统 — AZtecFeaturezei新推出的AZtecFeat......
AztecFeature可轻松快速获得颗粒物信息：点击一个颗粒，其他所有相似灰度的颗粒立即高亮显示，并且显示所有高亮颗粒的形貌信息。同时多探测器不仅可有效提高颗......
目前牛津仪器可以支持一台SEM同时配备4个最大面积150mm2的X-MaxN能谱仪，获得晶体活区面积总计高达600mm2。SEM专用颗粒物分析系统 — AZte......
AZtecFeature是一款速度超快、方便易用的颗粒物分析系统，即使是初学者也可以快速方便地获得整个样品中几千甚至几万颗粒的信息，且支持一键自动输出每个颗粒的......
AZtecFeature是一种自动颗粒物分析系统，专门针对适用性和高速输出进行了优化。它结合了Ultim Max硅漂移探测器的高效性、灵敏性和Aztec优异的分......
作为在高计数率下也可实现高准确定量分析的EDS探测器，Ultim Max与Wave结合，是一款优秀的基于SEM下的元素显微分析系统。AZtecWave结合了波谱......
具有罗兰圆几何和弯曲晶体的全聚焦波谱仪出色的能量分辨率，可完全解析高密度的X射线谱线较高的峰背比意味着检测限低于100ppm电动入射狭缝可优化分辨率和峰背比倾斜......
牛津仪器Wave500/Wave700波长色散谱仪AZtecWave结合了波谱仪解析X射线谱峰灵敏性、微量及痕量元素准确性以及能谱仪检测元素时的高速及高灵活性的......
牛津仪器Wave700波长色散谱仪AZtecWave结合了波谱仪解析X射线谱峰灵敏性、微量及痕量元素准确性以及能谱仪检测元素时的高速及高灵活性的优势。发挥波谱仪......
牛津仪器Wave500波长色散谱仪AZtecWave结合了波谱仪解析X射线谱峰灵敏性、微量及痕量元素准确性以及能谱仪检测元素时的高速及高灵活性的优势。发挥波谱仪......
X-MaxN 的晶体面积有20mm2, 50mm2, 80mm2 and 150mm2 –其中150mm2 是当今晶体面积zei大的能谱仪因其独特地外置型FET......
总览探测器晶体尺寸可选，分别为150 mm2，80 mm2，50 mm2，20 mm2无论晶体面积或大或小，X-MaxN 的分辨率始终如一的好——并符合标准IS......
锗（锂）漂移探测器，这种探测器的灵敏体积可大于200厘米3。但是,由于其死层较厚，故在探测较低能量的x射线时,往往采用硅（锂）漂移探测器。锂漂移型探测器的另一个......
为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入p型半导体材料,进行补偿而获得。由于锗比硅对γ射线有更高的探测效率，故一般采用......
牛津仪器X-MaxN硅漂移探测器仪器简介：X-MaxN 的晶体尺寸从适合于微米分析的20 mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm......
锂漂移型探测器的另一个特点，是当它被用来探测x及γ射线时必须保持在低温(77k)和真空中工作。全新设计80mm2的传感器，进一步接近样品并提供更多的x射线计数。......
牛津仪器X-MaxTEM无窗大面积硅漂移探测器为了探测穿透能力较强的γ射线，要求探测器有更大的灵敏区。这种效果通常是使锂漂移进入p型半导体材料,进行补偿而获得。......
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