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伯东贸易（深圳）有限公司
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| 参考报价： | 面议 | 型号： | 射频离子源 RFICP 系列 |
| 品牌： | Atonarp | 产地： | 美国 |
| 关注度： | 9 | 信息完整度： |  |
| 样本： | 典型用户： | 暂无 | |
| 供应商性质 | 总代理 | 产地类别 | 进口 |
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发布时间：2023年02月
因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准
KRi 射频离子源 RFICP 系列
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
型号 | |||||
Discharge 阳极 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 | RF 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
射频离子源 RFICP 系列应用:
离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
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上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
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注：该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案，不可用于临床诊断或治疗等相关用途
