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伯东供应KRI 考夫曼离子源 KDC 75

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参考报价: 面议 型号: KRI 考夫曼离子源 KDC 75
品牌: Atonarp 产地: 美国
关注度: 9 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质总代理产地类别进口
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发布时间:2022年06月


因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 考夫曼离子源 KDC 75

KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
 

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

型号

KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

供电

DC magnetic confinement

 - 阴极灯丝

2

 - 阳极电压

0-100V DC

电子束

OptiBeam™

 - 栅极

专用, 自对准

 -栅极直径

7.5 cm

中和器

灯丝

电源控制

KSC 1212 或 KSC 1202

配置

-

 - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

 - 安装

移动或快速法兰

 - 高度

7.9'

 - 直径

5.5'

 - 离子束

聚焦
平行
散设

 -加工材料

金属
电介质
半导体

 -工艺气体

惰性
活性
混合

 -安装距离

6-24”

 - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE


客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
考夫曼离子源 KDC 75

 

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上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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