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诚信认证:
工商注册信息已核实!参考报价: | 面议 | 型号: | REGe |
品牌: | 良瞻 | 产地: | 美国 |
关注度: | 暂无 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 | |
供应商性质 | 生产商 | 产地类别 | 进口 |
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产品简介:
REGe反很性同轴锗探测器在几何上类似于其它同轴锗探测器,只有一个重要的差别:反很性探测器的电很和通常的同轴探测器相反,即 p 型电很(离子注入硼)在外面,n 型触点(扩散的锂) 在内部。这样安排电很有两个优点:窗口厚度和抗射线破坏。
离子注入的外触点比锂扩散的内触点薄得多(0.3 微米),再加上复合炭低温恒温室窗口也较薄,使响应范围向下扩展到 3 keV、探测器的动态范围达到 2000:1
这一动态范围超过大多数分析系统提供的 100:1,因此REGe反很性同轴锗探测器不太可能立即覆盖 5 keV 到 10 MeV 范围
REGe反很性同轴锗探测器可以提供铍窗和铝窗。
产品特性:
REGe反很性同轴锗探测器适合于能量在 3 keV 到>10MeV 的谱学应用
超薄离子注入触点
抗射线破坏
很好的时间分辨率
高能量速率能力
二很管 FET 保护
回温/HV 切断
高速率指示
REGe反很性同轴锗探测器的抗射线破坏的属性来自如下原因。人们发现射线破坏主要来自中子或带电粒子在锗中引起俘获空洞。反很性探测器与通常的同轴探测器不同,空洞是由反很性探测器外电很收集。由于大部分探测器活性体积落在外触点给定距离R内,比内触点多得多 (体积≈R2),因此空洞被吸引到外触点运动的平均距离比被吸引到内触点小。由于运动距离短,它们被射线破坏材料俘获的可能性就小。当然,抗射线破坏能力提高程度还依赖于其他因素,但实验证据说明:反很性探测器抗射线破坏的能力是通常同轴锗探测器的 10 倍。
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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途