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一文了解40种常用的芯片封装技术（三）

2020.10.12

18、FQFP（fine pitch quad flat package）

小引脚中心距 QFP。通常指引脚中心距小于0．65mm 的 QFP（见 QFP）。部分导导体厂家采用此名称。塑料四边引出扁平封装 PQFP（Plastic Quad Flat Package）PQFP 的封装形式最为普遍。其芯片引脚之间距离很小，引脚很细，很多大规模或超大集成电路都采用这种封装形式，引脚数量一般都在100个以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用这种封装形式。此种封装形式的芯片必须采用 SMT 技术（表面安装设备）将芯片与电路板焊接起来。采用 SMT 技术安装的芯片不必在电路板上打孔，一般在电路板表面上有设计好的相应引脚的焊点。将芯片各脚对准相应的焊点，即可实现与主板的焊接。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。SMT 技术也被广泛的使用在芯片焊接领域，此后很多高级的封装技术都需要使用 SMT 焊接。

以下是一颗 AMD 的 QFP 封装的286处理器芯片。0．5mm焊区中心距，208根 I／O 引脚，外形尺寸28×28mm，芯片尺寸10×10mm，则芯片面积／封装面积＝10×10／28×28＝1：7．8，由此可见 QFP 比 DIP 的封装尺寸大大减小了。

PQFP 封装的主板声卡芯片

19、CPAC（globetop pad array carrier）

美国 Motorola 公司对 BGA 的别称（见 BGA）。

20、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝（CeramicQuad Flat－pack Package）

右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝（CQFP），這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工業用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層（有高起來，照片上不明顯）用來防止輻射及其他干擾。外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

21、H－（with heat sink）

表示带散热器的标记。例如，HSOP 表示带散热器的 SOP。

22、Pin Grid Array（Surface Mount Type）

表面贴装型 PGA。通常 PGA 为插装型封装，引脚长约3．4mm。表面贴装型 PGA 在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1．5mm 到2．0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊 PGA。因为引脚中心距只有1．27mm，比插装型 PGA 小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多（250～528），是大规模逻辑 LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。

PGA 封装威刚迷你 DDR333本内存

23、JLCC 封装（J－leaded chip carrier）

J 形引脚芯片载体。指带窗口 CLCC 和带窗口的陶瓷 QFJ 的别称（见 CLCC 和 QFJ）。部分半导体厂家采用的名称。

24、LCC 封装（Leadless chip carrier）

无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频 IC 用封装，也称为陶瓷 QFN 或QFN－C（见 QFN）。

25、LGA 封装（land grid array）

触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227 触点（1．27mm 中心距）和447 触点（2．54mm 中心距）的陶瓷 LGA，应用于高速逻辑 LSI 电路。

LGA 与 QFP 相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速 LSI 是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。

AMD 的2．66GHz 双核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平台 26、LOC 封装（lead onchip）

26、芯片上引线封装

LSI 封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm 左右宽度。

日立金属推出2．9mm 见方3轴加速度传感器

27、LQFP 封装（low profile quadflat package）

薄型 QFP。指封装本体厚度为1．4mm 的 QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新 QFP外形规格所用的名称。

28、L－QUAD封装

陶瓷 QFP 之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8 倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI 开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许 W3的功率。现已开发出了208 引脚（0．5mm 中心距）和160 引脚（0．65mm 中心距）的 LSI 逻辑用封装，并于1993 年10月开始投入批量生产。

29、MCM封装

多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大类。

MCM－L 是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。

MCM－C 是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或玻璃陶瓷）作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC 类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷（氧化铝或氮化铝）或Si、Al 作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

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