据美国物理学家组织网9月22日（北京时间）报道，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前，氮化镓只能用于（111）-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般在（100）-硅或（110）-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由（110）-硅制成的CMOS芯片兼容，科学家可据此研制出兼具CMOS芯片的计算能力和氮化镓晶体管大功率容量的混合电子元件，以获得更小更快、能耗更低的电子设备。
晶体管主要由硅制成，用在高电压电路中，其作用是计算以及增强电子射频信号。瑞士苏黎世联邦高等工学院（ETH）的科伦坡·博罗内斯说：“硅是上帝赐予工程师们的礼物。硅不仅是做基座，也是做半导体和芯片的基本材料。”
然而，硅也有缺陷。当温度超过200摄氏度后，硅基设备开始出故障。氮化镓晶体管能应对1000摄氏度以上的高温；其能应对的电场强度也是硅的50多倍，这使科学家们可用氮化镓制造出更快的电子线路。博罗内斯说：“这一点对于通讯来说尤为重要，因为工程师们能借此更快更有效地处理信息。”