据美国物理学家组织网1月31日报道，近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）纳米电子学与结构（LANES）实验室称，用一种名为辉钼（MoS2）的单分子层材料制造半导体，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。研究论文发表在1月30日的《自然·纳米技术》杂志上。

　　辉钼在自然界中含量丰富，通常用于合金钢或润滑油添加剂中的成分，在电子学领域尚未得到广泛研究。“它是一种二维材料，非常薄，很容易用在纳米技术上，在制造微型晶体管、发光二极管（LEDs）、太阳能电池等方面有很大潜力。”洛桑联邦理工学院教授安德列斯·凯斯说，他们将这种材料同硅以及当前主要用于电子和计算机芯片的富勒烯进行了对比。

　　同硅相比，辉钼的优势之一是体积更小，辉钼单分子层是二维的，而硅是一种三维材料。“在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子运动和在两纳米厚的硅薄膜上一样容易。”凯斯解释说，“但目前不可能把硅薄膜做得像辉钼薄膜那么薄。”