佐治亚理工学院Russell Dupuis教授访问苏州纳米所

2010-11-11 15:01 来源: 中国科学院
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  11月9日上午,美国国家工程院院士、佐治亚理工学院Steve W. Chaddick讲席教授Russell Dupuis访问中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,并作题为The History and Current Status of Metalorganic Chemical Vapor Deposition的学术报告。报告会由苏州纳米所所长杨辉研究员主持,相关科研人员和学生聆听了报告。

  作为MOCVD技术的先驱者之一,Russell Dupuis教授详细介绍了MOCVD技术的发明和发展过程,MOCVD技术对化合物半导体材料和器件发展的巨大推动,并以当年参与者的身份介绍了 GaAs/AlGaAs激光器的早期发展过程,Russell Dupuis教授还介绍了他的研究小组在GaN基发光器件的近期研究进展。报告引起大家的广泛兴趣,大家就MOCVD技术,GaN基材料与器件与 Russell Dupuis教授进行了深入的探讨和交流。

  在苏州纳米所访问期间,Russell Dupuis教授还应邀在第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会上作了题为Recent Advances in the MOCVD Growth of III-N Light Emitting Devices的大会邀请报告,介绍了他的课题组在InGaN基LED的Efficiency Droop问题方面的研究进展。

  Russell Dupuis教授为佐治亚理工学院电子与计算机系Steve W. Chaddick讲席教授、化合物半导体中心主任。1989年到2003年,Dupuis教授为德克萨斯大学奥斯汀分校的Judson S. Swearingen讲席教授。在进入学术界前,Dupuis教授在AT&T Bell Laboratories、Rockwell International、 Texas Instruments. Inc.等公司技术部门工作。在Rockwell International工作期间,他取得了一系列国际领先,包括采用MOCVD技术生长了高性能的太阳能电池和LED,在国际上首次获得了室温连续工作的AlGaAs-GaAs量子阱激光器。他最近的工作领域包括III族氮化物光电子和电子器件(比如AlGaN-GaN 异质结晶体管、InGaN LED和激光器、AlGaN和GaN p-i-n紫外雪崩探测器),InP基量子级联激光器和探测器,InAlGaAsP激光晶体管。在Dupuis教授的职业生涯中,他获得了许多奖项,包括 2002年国家技术奖(National Medal of Technology),2003年TMS学会John Bardeen奖,2007年IEEE Edison奖。Dupuis教授还是美国国家工程院院士,IEEE、美国物理学会及美国光学学会院士。

Russell Dupuis教授作报告

报告会现场