SJ 50033/84-1995
半导体分立器件.CS140型硅N沟道MOS耗尽型场效应晶体管.详细规范

Semiconductor discrete device.Detail specification for type CS140 Silicon N-channel MOS deplition mode field-effect transistor


标准号
SJ 50033/84-1995
发布
1995年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ 50033/84-1995
 
 

SJ 50033/84-1995相似标准


推荐

场效应管的类型介绍

  标准电压下的耗尽场效应管。从左到右依次依次为:结场效应管,多晶金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出  掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N半导体或P半导体。...

Nature I 含有n沟道和p沟道过渡金属硫化物的范德华结场效应晶体管

Park纳米沙龙含有n沟道和p沟道过渡金属硫化物的范德华结场效应晶体管Park Journal   过去的十几年里,二维(2D)过渡金属硫化物(TMD)被公认在未来纳米电子学中存在了巨大的潜力,在材料和器件两个方面都得到了广泛的研究。主要的焦点是2D TMD半导体器件,这可能是现有或未来技术中最重要的部分。...

MOS器件的发展与面临的挑战(二)

但是利用HK介质材料代替SiON也会引起很多问题,例如导致多晶硅栅耗尽效应形成高阻栅,HK介质材料与多晶的界面会形成界面失配现象降低载流子迁移率,HK介质材料还会造成费米能级的钉扎现象。目前半导体业界利用金属栅(Metal Gate - MG)取代多晶硅栅电极可以解决Vt漂移、多晶硅栅耗尽效应、过高的栅电阻和费米能级的钉扎等现象。...

MOS器件的发展与面临的挑战(一)

多晶硅栅具有三方面的优点:第一个优点是不但多晶工艺兼容,而且多晶可以耐高温退火,高温退火是离子注入的要求;第二个优点是多晶硅栅是在源漏离子注入之前形成的,源漏离子注入时,多晶硅栅可以作为遮蔽层,所以离子只会注入多晶硅栅两侧,所以源漏扩散区与多晶硅栅是自对准的;第三个优点是可以通过掺杂N和P杂质来改变其功函数,从而调节器件的阈值电压。...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号