SJ 50033/89-1995
半导体分立器件.CS6768和CS6770型硅N沟道增强型场效应晶体管详细规范
Semiconductor discrete device.Detail specification for type CS 6768 and CS 6770 silicon N channel enhancement mode field effect transistor
- 标准号
- SJ 50033/89-1995
- 发布
- 1995年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/89-1995
SJ 50033/89-1995相似标准
推荐
北大彭练矛-张志勇课题组Science：5纳米碳纳米管CMOS器件，晶体管性能推至理论极限
A： n型和p型器件截面图和栅堆垛层截面图；B-C: p型和n型碳管器件的转移曲线以及与硅基CMOS器件（Intel, 14 nm, 22 nm）的对比。D:碳管器件的本征门延时与14 nm硅基CMOS对比。课题组进一步探索5纳米栅长（对应3纳米技术节点）的碳纳米管晶体管。...
综述：有机半导体晶体
文中，作者们首先对有机半导体晶体发展的历史过程进行了梳理，随后系统介绍了有机半导体晶体中分子堆积方式，形貌结构关系与表征，晶体缺陷，电荷传输和电子态，并对有机晶体的可控生长方法包括熔融法，气相法，溶液法，化学反应法以及半导体晶体图案化策略做了详细的总结，之后分别讨论了有机半导体晶体在有机场效应晶体管（包括基于晶体管的反相器，集成电路，光响应器件，记忆器件，传感器件），发光二极管和发光晶体管以及光伏电池应用中的物理机制和研究进展...
卜伟海：后摩尔时代集成电路产业技术的发展趋势
1.2.2 Forksheet器件Forksheet器件由GAA NS延伸而来，其结构特点是在N型场效应晶体管（N-type Field-Effect Transistor, NFET）和PFET之间的源漏用介质墙隔离。在部分器件设计中，栅极也用介质进行了分隔，这相当于从器件层面实现CMOS结构。...
电子元器件综合知识大全
N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。...