找不到引用GB/T 41765-2022 碳化硅单晶位错密度的测试方法 的标准
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图1 缺陷对杂质的吸收用偏光金相显微镜还可以看出单晶硅片的分布规律:边缘的缺陷密度小,中心的缺陷密度大。可以从图2和图3两幅图中明显的看出。 图2 单晶硅片中心缺陷分布 图3 单晶硅片边缘缺陷分布在实验过程中拍摄了一组比较典型的位错缺陷图片。对于位错来说,不同晶面上的位错坑的形态不一样。...
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