T/CIE 119-2021
半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序
Atmospheric neutron single event effect test methods and procedures for semiconductor devices
- 标准号
- T/CIE 119-2021
- 发布
- 2021年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CIE 119-2021
- 适用范围
- 本文件给出半导体器件大气中子单粒子效应试验方法与程序。专门针对使用散裂中子源对半导体器件进行大气中子单粒子效应加速试验，根据半导体器件工艺和散裂中子源测试条件变化，编制新标准，覆盖热中子和高能中子协同测试，提升试验效率，覆盖高速大容量器件测试、MBU测试分析、1MeV~10MeV中子贡献等半导体器件大气中子单粒子效应测试中的关键环节。通过开展散裂中子源加速辐照试验、数据处理分析和计算，可以得到半导体器件在实际应用环境下的大气中子单粒子效应敏感性数据，为半导体器件抗辐射能力评价提供依据，为电子系统软错误模型和分析评价提供基础数据。
T/CIE 119-2021相似标准
推荐
大咖干货 | 集成电路的软错误率（SER）的发生与评估
如在航空领域IEC 62396《航空电子设备过程管理-大气辐射效应》详细论述了大气中子诱发单粒子效应对元器件、设备、系统的影响和应对策略，并且大气中子单粒子效应也纳入了DO254的基础程序与认证方法的重点考虑因素。在地面交通领域，ISO26262将α粒子和大气中子诱发集成电路软错误作为系统安全的重要基础数据来源。...
航天元器件抗辐射能力选择
自1975年发现单个高能粒子能引起CMOS器件发生锁定（SEL）以来，不断发现由单粒子引起的器件失效情况，包括功率MOS器件发生烧毁（SEB）、单粒子栅穿（SEGR）、单粒子翻转（SEU）等现象。随着器件集成度的提高，以及工作电压的降低，器件对单粒子效应的敏感度也大幅度提高，成为影响航天器在轨运行的重要因素。核辐射环境主要由α、β、中子、γ射线及核电磁脉冲组成。...
中国散裂中子源大气中子辐照谱仪通过验收
大气中子辐照谱仪建成后，将为新型半导体器件、大规模集成电路、高可靠电子设备、新型功能材料、生物辐照效应、核数据测量等提供大气中子试验环境，为中国在航空、航天、通讯、能源、电力电子、现代交通、医疗电子及高性能计算等领域的高可靠电子信息系统研发与产品制造，提供一个先进的、功能强大的大气中子测试与科研平台。...
散裂中子源大气中子辐照谱仪出束
大气中子辐照谱仪将为新型半导体器件、大规模集成电路、关键电子设备、新型功能材料、生物辐照效应、核数据与测量等方面提供大气中子加速辐照试验环境，填补我国在该领域的空白，为我国在航空、航天、通讯、能源、电力电子、现代交通、医疗卫生、及高性能计算等高新技术开发与行业标准制定，提供了一个先进的、功能强大的大气中子测试与科研平台。...