T/CASAS 017—2021
第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语
Terminology of micro-nano metallic sintering technology for wide-bandgap semiconductor
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- 适用范围
- 第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，第三代半导体器件（光电子器件、功率器件、射频器件）在半导体照明、消费类电子、5G移动通信、新能源汽车、智能电网、轨道交通等领域有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术的瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，对节能减排、产业转型升级、催生新的经济增长点发挥重要作用，正在成为全球半导体产业新的战略高地。 随着宽禁带半导体器件的出现、日趋成熟及商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动器件结温从目前的150℃迈向175℃、甚至200℃发展。结温的不断提高对封装互连技术提出了更高要求和新的挑战。近年来，新型微纳米金属烧结互连技术凭借其组分单一、低工艺温度、高服役温度等优点，逐渐成为宽禁带半导体模块封装最重要的连接技术之一。 然而，目前微纳米金属烧结连接技术尚属起步推广阶段，关于微纳米金属烧结材料、烧结工艺、烧结连接件性能和可靠性等关键环节的术语，业内尚无统一标准，这给从业人员的技术交流、产品验证和质量评估造成了一定的困难。因此，有必要根据实际需求，制定术语标准以规范该行业的专业和技术用语，对后续从事该项技术开发的企业单位也有一定的指导价值。