找不到引用KS C 0256-2002(2022) 硅晶体和硅片电阻率的四点探针测试方法 的标准
C、利用磁控直拉硅单晶工艺（MCZ）改进单晶硅棒产品质量 区熔单晶硅工艺避免了直拉工艺中大量氧进人硅晶体的固有缺陷，从而彻底解决了P型（掺硼）太阳电池的早期光致衰减现象。因FZ工艺成本较高，主要用于IC和其它半导体器件的硅片制造，但目前一些公司已对FZ工艺进行相关改造，降低了成本。以适合于太阳电池硅片的制造。国内一些拉棒公司已开展了这方面的试制工作。...
相关应用：半导体制造（光刻胶、氧化物/氮化物/SOI、晶圆背面研磨）；LCD 液晶显示器（聚酰亚胺、ITO 透明导电膜）；光学镀膜（硬涂层、抗反射层）；MEMS 微机电系统（光刻胶、硅系膜层）。 R50四探针电阻率测量仪Filmetrics R50 系列提供接触式四点探针 (4PP) 和非接触式涡流 (EC）测量。最快 1 点/秒的速度映射导电膜的电阻率/电导率。...
单晶硅硅片 目前晶体硅太阳电池硅片分为单晶硅硅片和多晶硅硅片。 ...
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