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2、在温度变化范围不大时，纯金属的电阻率随温度线性地增大，即ρ=ρ0（1+αt），式中ρ、ρ0分别是t℃和0℃的电阻率 ，α称为电阻的温度系数。多数金属的α≈0.4%。由于α比金属的线膨胀显著得多（ 温度升高 1℃ ， 金属长度只膨胀约0.001%） ，在考虑金属电阻随温度变化时 ， 其长度 l和截面积S的变化可略，故R = R0 （1+αt），式中和分别是金属导体在t℃和0℃的电阻。...
室温时，双金属阵列电阻率可比其金属态电阻率还要低一个数量级，达到~ 10-8 ohm*m，与传统半导体电阻率相比，低3-10个数量级。为了与传统半导体区别，将其命名为超级半导体。进一步研究表明，其半导体带隙恰好等于双金属费米能级之差，且与等离子共振所吸收的热红外光能量相同。...
有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀 金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。换上四端子测试 夹具，还可对电阻器体电阻、金属导体的低、中值电阻以及开关类接触电阻进行测量。配专用探头，也可测试电池极片等箔上涂层电阻率方阻。 ...
硅片电阻率和掺杂类型对MSDC-TENG的影响a) 采用不同电阻率和类型硅片的MSDC-TENG的短路电流和开路电压的变化趋势及其相应的误差线；b) 采用不同电阻率和类型硅片的MSDC-TENG的内部电阻；c) MSDC-TENG（Wm < Ws）的工作状态图；d) 处于平衡态MS结的能带图；e) 处于滑动状态MS结的能带图。...
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