平面图形化工艺的核心是平行成像特性，主要包括光刻技术(掩模，直写)，电子束曝光(EBL)；(2) 探针图形化工艺是利用高精度探针对样品或涂层进行逐点扫描成像技术，具有精度高，部分实现直写，3D加工等，代表技术有：热式扫描探针技术（NanoFrazor）；(3) 模型图形化工艺是利用微纳米尺寸的模具复制出相应的微纳米结构，典型工艺是纳米压印技术(NIL)，还包括模压和模铸技术。 ...
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。 分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。 对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。 曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。 ...
小型台式无掩膜直写光刻系统小型台式无掩膜直写光刻系统（MicroWriter ML3）进入国内科研领域已有十年时间，在国内约有200台设备安装落户。凭借小巧紧凑的结构(70 cm x 70 cm x 70 cm)、友好的操作系统、简单的维护需求、超高的直写速度，特别是无需掩膜版即可直写曝光的特点极大地优化了设计成本和研究效率，深受广大科研用户的喜爱。...
苏州苏大维格公司承担的“纳米图形化直写与成像检测仪器的研发与应用”项目，研制首台具备大幅面、快速纳米结构直写与共焦显微三维形貌数据检测功能的仪器，填补国际空白，提升我国微纳器件和功能新材料的研究水平与国际竞争力。预计到2019年，将实现纳米图形化直写与成像检测仪器不低于20台套的年生产能力。 ...
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