普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件,出现于70年代。是pnpn四层半导体结构,普通晶闸管它有三个极:阳极,阴极和门极; 晶闸管具有硅整流器件的特性,能在高电压、大电流条件下工作,它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 ...
到目前为止,在高压(VBR》3.3kV)、大功率(0.5~20MVA)牵引、工业和电力逆变器中应用得最为普遍的是门控功率半导体器件。目前,GTO的最高研究水平为6in、6kV/6kA以及9kV/10kA。...
2018半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分:通孔安装器件的耐焊接热2019-01-0127GB/T 4937.17-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第17部分:中子辐照2019-01-0128GB/T 4937.18-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第18部分:电离辐照(总剂量)2019-01-0129GB/T 4937.19-2018半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分...
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