ASTM F1153-92(2002)
ASTM F1153-92(2002)
- 标准号
- ASTM F1153-92(2002)
- 发布
- 1970年
- 发布单位
- /
- 当前最新
- ASTM F1153-92(2002)
- 引用标准
- ASTM F388 ASTM F576 ASTM F723
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖了金属-氧化物-硅（MOS）结构的平带电容、平带电压、半导体-氧化物界面耗尽长度内的平均载流子浓度、在高电压下施加电压应力后平带电压位移的测量程序。温度、移动离子电荷污染和总固定电荷密度。还涵盖了检测体硅或外延硅表面下区域中 PN 结是否存在的程序。
1.2 本程序适用于载流子浓度为 5 3 10 14 至 5 3 10 16 载流子/cm 3 （含）的 n 型和 p 型体硅，以及具有相同载流子浓度的 N/N + 和 P/P + 外延硅。载流子浓度范围。
1.3 本程序适用于氧化物厚度为 50 至 300 nm 的试样。
1.4 该程序可以指示 MOS 结构内的缺陷程度。这些缺陷包括界面俘获电荷、固定氧化物电荷、俘获氧化物电荷和永久反型层。
1.5 该过程的精度可能会受到氧化物或平行于半导体-氧化物界面的半导体中的不均匀性的影响。
1.6 本程序适用于测量1 3 1010 cm -2 或更大的移动离子电荷浓度。当必须测量小于1 3 10 10 cm -2 的移动离子电荷浓度时，可能需要替代技术，例如三角电压扫描方法2 (1)。
1.7 本程序适用于测量5 3 10 10 cm -2 或更大的总固定电荷密度。当必须测量小于5 3 10 10 cm -2 的总固定电荷的界面俘获电荷密度分量时，可能需要替代技术，例如电导方法(2)。
1.8 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。