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原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术，以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程，微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。...
原子层沉积（ALD）的自限制性和互补性致使该技术对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力，所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，因而引起了人们广泛的关注。原子尺度上的ALD过程仿真对深入了解沉积机理，改进和优化薄膜生长工艺，提高薄膜质量，改善薄膜性质具有重要意义。...
原子层沉积技术长期以来一直用于生产超薄膜，实际上原子层面的控制还可以提高沉积技术能力，同时改变薄膜材料的性能。 牛津仪器等离子体增强原子沉积可以通过在衬底基板施加偏压来进一步增强性能。该项新技术可以在沉积过程中，通过对晶相施压，精确地调整材料性能。除了在集成电路中大范围应用之外，该项技术还可应用于微机电、LED、电力电子。 如需查阅更多相关信息，请点击这里。...
▼本篇文章摘自Harm Knoops博士的博文 很多涉及原子层沉积技术（ALD）的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。...
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