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由于半导体电容依赖于载流子的浓度,因此研究者可以用SCM绘制出掺杂剂在半导体中的分布图。...
基于原子力技术的原子力显微镜可以从纳米尺度对半导体材料的表面特性、力学特性、电学特性进行分析。通过原子力显微镜技术, 研究者可以对GaN、SiC、SiGe 等新型半导体材料在工艺工程中呈现的特性进行研究,了解这些新材料中的电子状态和能带结构以及这些材料的导电机理。推进这些新材料在半导体器件中的新的应用。原子力显微镜在半导体材料研究、工艺过程检测中越来越不可或缺。 ...
基于原子力技术的原子力显微镜可以从纳米尺度对半导体材料的表面特性、力学特性、电学特性进行分析。通过原子力显微镜技术, 研究者可以对GaN、SiC、SiGe 等新型半导体材料在工艺工程中呈现的特性进行研究,了解这些新材料中的电子状态和能带结构以及这些材料的导电机理。推进这些新材料在半导体器件中的新的应用。原子力显微镜在半导体材料研究、工艺过程检测中越来越不可或缺。 ...
布鲁克的扫描电势显微镜( SKPM)拥有低噪声的AM-KPFM以及高灵敏度的FM-KPFM两种模式, 集高分辨表面扫描、高灵敏的电势扫描、量化的力学性能与一体,成为在半导体材料的研究、器件失效分析领域越来越重要的一种应用。该文章中使用Bruker Dimension® Icon™和Multimode原子力显微镜来表征h-BN和GNR样品。...
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