高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要求。 因此,碳化硅材料外延技术的研究是非常有意义的。技术特点: 本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性,不同于一般的半导体外延技术,SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以及实现途径上都突出了电力系统应用的特点。目前,国际上已经形成了从碳化硅衬底材料、外延材料到器件制备的一整套产业体系。...
单纯激光器激发的PL测试系统,266nm、325nm等紫外激光器可选显微PL测量系统:解决弱信号、微区光谱、PL mapping、拉曼光谱表征的测量诉求325nm激光器激发的环形荧光PL mapping:GaN外延片的缺陷检测轻松选配件,放心做实验紫外激光器选件:日本Kimmon厂家的325nm He-Cd激光器,功率35mW,不仅仅是激光器本身,还有优质的激光线纯化滤光片、高通滤光片配套。...
6、晶片抛光:通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。7、晶片检测:使用光学显微镜、X射线衍射仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备,检测碳化硅晶片的微管密度、表面粗糙度、电阻率、弯曲度、厚度变化、表面划痕等各项参数指标。8、晶片清洗:以清洗药剂和纯水对碳化硅抛光片进行清洗处理,去除抛光片上残留的抛光液等表面沾污物,再通过超高纯氮气和甩干机将晶片吹干、甩干。...
多元素含量测定 激光剥蚀—电感耦合等离子体质谱法制订2021-12-078半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法制订2021-12-079半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法制订2021-12-0710饲料中新甲基橙皮苷二氢查耳酮的测定 高效液相色谱法制订2021-12-0711饲料中泰拉霉素的测定...
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