T/IAWBS 008-2019
SiC晶片的残余应力检测方法
Experimental method for residual stress in SiC wafers
- 标准号
- T/IAWBS 008-2019
- 发布
- 2019年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/IAWBS 008-2019
- 适用范围
- 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，被视为支撑能源、交通、信息、国防等产业发展的核心技术，全球市场容量未来将达到百亿美元，已成为美国、欧洲、日本半导体行业的重点研究方向之一。? 与传统硅基晶圆类似，碳化硅晶圆的制造工艺中也会产生残余应力，过大的残余应力除了会造成晶圆翘曲、断裂等失效问题外，还会因压阻效应影响碳化硅晶圆电性能，因此，精确测量制造工艺过程中SiC晶圆的残余应力，对于提高产品良率和电性能，具有重要的意义。
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