具有以下几个优点:(1)灵敏度高:ICP-MS仪器的灵敏度一般高 出lCP.AES一到两个数量级,从而对多数元素能达 到更低的检出限:(2)动态线性范围宽:(3)可多元素同时分析;(4)分析速度快,单个样品一般在几秒钟内完成:(5)分析元素范围广,能分析元素周期表中除碳、氢、氧外的绝大多数元素。正因为这些优点,使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中。...
全文共1466字,阅读大约需要4分钟ICP-MS技术尤其四极杆型ICP-MS技术由于极低的检测限和快速多元素测定功能而逐渐成为半导体行业污染分析实验室的标准技术。那么,ICP-MS技术在半导体行业高纯试剂分析的应用情况怎样?当前的工业趋势正在朝着半导体制造业发展,其目标是具有更快的运行速度,较小的器件尺寸,较大的集成规模以及从增加每个单晶硅切片上的元件产量同时减少次品率来减低制造成本。...
然而半导体杂质含量通常在ppt级,ICP-MS分析时用到的氩气及样品基体都很容易产生多原子离子干扰,标准模式、碰撞模式下很难在高本底干扰的情况下分析痕量的目标元素。半导体专用ICP-MS既能实现标准模式、碰撞模式,也可以通过反应模式消除干扰,从根本上成功解决了多原子干扰的技术难题。晶圆中的金属杂质分析(UCT-ICP-MS)晶圆等半导体材料中的主要成分是硅。...
优势:(1)灵敏度高:ICP-MS仪器的灵敏度一般高 出lCP.AES一到两个数量级,从而对多数元素能达 到更低的检出限:(2)动态线性范围宽:(3)可多元素同时分析;(4)分析速度快,单个样品一般在几秒钟内完成:(5)分析元素范围广,能分析元素周期表中除碳、氢、氧外的绝大多数元素. 正因为这些优点,使ICP-MS分析技术广泛应 用于半导体工业用高纯材料的痕量杂质分析中。...
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