导致缺陷产生的主要原因是晶体在生长过程中温度分布不均,晶体内不同程度的热应力会引起微管密度和多晶界的增加。因此晶体生长过程中的温度调控对提升晶体质量而言是关键所在。为解决大尺寸碳化硅单晶生长中的温度分布不均匀问题,我们提出了3段式电阻加热法。 ...
导致缺陷产生的主要原因是晶体在生长过程中温度分布不均,晶体内不同程度的热应力会引起微管密度和多晶界的增加。因此晶体生长过程中的温度调控对提升晶体质量而言是关键所在。为解决大尺寸碳化硅单晶生长中的温度分布不均匀问题,我们提出了3段式电阻加热法。 ...
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