GB/T 17170-1997
非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法
Test method for deep level EL2 concentration of undoped semi-insulating monocrystal gallium arsenide by measurement infrared absorption method
说明：
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- 标准号
- GB/T 17170-1997
- 发布日期
- 1997年12月22日
- 实施日期
- 1998年08月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 17170-2015
- 适用范围
- 本标准规定了非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于107Ω·cm的非掺杂半绝缘砷化镓单晶及其晶片深能级EL2浓度的测定。 本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓试样深能级EL2浓度测定。