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DAHI项目目标是开发晶体管级异质集成工艺,实现先进化合物半导体器件、其他新兴材料器件、高密度硅互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的紧密结合。DAHI的最终目标是建立一个可制造、可获得代工技术,可将多种器件和复杂硅架构通过单片异质集成的方式集成到共同的衬底平台上。这样的集成将为美军提供拥有更高性能的微系统。DARPA在异质集成方面的努力始于“硅基化合物半导体材料”(COSMOS)项目。...
当前,“后摩尔时代”以“感知”为特征,微电子发展更强调将具有不同功能的非数字器件,包括功率器件、射频器件等互相组合与互补金属氧化物半导体电路集成。对此,与会专家认为,发展硅基异质集成材料技术应得到格外重视,这一技术将为突破摩尔定律极限新路径、发展单芯片多样化功能集成,突破宽带光信息传输、交换与处理集成芯片关键技术提供材料支撑。 ...
氧化层包括栅氧化层以及用来隔离相邻设备的隔离层,后者是辐射诱发先进互补金属氧化物半导体(CMOS)设备工作性能下降的主要原因。累积效应最初能够导致漏电,并最终导致整个电路发生故障。 研究人员预计,以SWCNT为基础的纳米电子设备几乎能消除电离辐射造成的暂态效应。这是因为纳米电子设备尺寸小、密度低,以及仪器中相邻的纳米晶体管相互隔离。...
2、混合集成电路的失效混合集成电路工艺:IC工艺:氧化、扩散、镀膜、光刻等厚膜工艺:基板加工、制版、丝网印刷、烧结、激光调阻、分离元器件组装等薄膜工艺:基板加工、制版、薄膜制备、光刻、电镀等失效原因:元器件失效:31%互连失效:23%,引线键合失效、芯片粘结不良等沾污失效:21%关于混合集成电路:按制作工艺,可将集成电路分为:(1)半导体集成电路(基片:半导体) 即:单片集成电路(固体电路...
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