ISO 15632-2002
微光束分析.带半导体探测器的能量发散X射线分光仪的仪器规范

Microbeam analysis - Instrumental specification for energy dispersive X-ray spectrometers with semiconductor detectors

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标准号
ISO 15632-2002
发布日期
2002年12月
实施日期
废止日期
无
中国标准分类号
N50
国际标准分类号
71.040.50
发布单位
IX-ISO
代替标准
ISO 15632-2012
适用范围
本标准规定了表征以半导体探测器、前置放大器利信号处理系统为基本构成的X射线能谱仪 （EDS）特性最重要的量值。本标准仅适用于固态电离作原理的半导体探测器EDS。 本标准准只规定了与电子探针（EPMA)或扫描电镜（SEM）此类EDS的的最低要求，至于如何实现分析则不在本标准的规定范围之内。

谁引用了ISO 15632-2002 更多引用

BS EN 1071-4-2006 高级工业陶瓷.陶瓷涂层的试验方法.用电子探针微量分析(EPMA)测定化学成分 DIN EN 1071-4-2006 高级工业陶瓷.陶瓷涂层的试验方法.第4部分:使用电探针微量分析(EPMA)测量化学成分 GOST R ISO 22309-2015 确保测量一致性的国家系统. 微束分析. 采用能量扩散光谱测定法 (EDS) 对原子序数大于等于11 (Na) 的元素进行定量分析 GOST R ISO 22309-2015 确保测量一致性的国家系统. 微束分析. 采用能量扩散光谱测定法 (EDS) 对原子序数大于等于11 (Na) 的元素进行定量分析 DIN ISO 22309-2015 微光束分析.用能量扩散光谱测定法(EDS)对原子序数大于等于11(Na)的元素进行定量分析(ISO 22309-2011)


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