氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟纳米结构是研制相关量子器件的基础。然而，一直以来，InN纳米材料的生长往往要利用铟的氧化物或氯化物，这会在氮化铟纳米材料中引入许多杂质，致使材料的光学、电学性能大大降低。...
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度两者的方法。...
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。...
也许磷化铟激光永不熄灭这句话文艺气息有点太浓。但是，在这个星球上，每时每刻都有磷化铟激光在快速地闪烁，传输着信息，印证着这些设备对我们而言是多么的不可或缺。那么，磷化铟为何如此重要呢？它独特的电学性能使其成为理想的发光源；它具有直接带隙和高电子迁移率，可实现激光快速开关。那么信息的快速形成和传输又为何如此重要呢？信息是以光作为载体进行传输，因此激光的形成就是必要的。...
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