5.11 半导体三极管的好坏检测a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位 b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红表笔接基极,黑表笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将黑表笔接集电极(红表笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈小愈好.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将黑表笔接基极,红表笔分别接发射极与集电极,所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻...
基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。...
图5 MoS2双极型光电晶体管的光电探测性能表现(a)不同激光照射强度下,MoS2 npn晶体管的光响应特性;(b) 固定集电极-发射极偏压VCE = 1 V条件下,使用Si背栅测量的转移曲线;(c)不同光照强度下器件的响应度和阈值电压偏移ΔVth;(d) VCE = 0和1 V条件下npn双极光电晶体管中光电流的空间分布图;(e)光电流在器件内的横向分布与器件的极化图案(PFM相位图)对比;(f)...
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