IEC 62374-1:2010
半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验
Semiconductor devices - Part 1: Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
- 标准号
- IEC 62374-1:2010
- 发布
- 2010年
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC 62374-1:2010
- 适用范围
- IEC 62374的本部分描述了半导体器件中应用的金属间层随时间介电击穿（TDDB）测试的测试方法、测试结构和寿命估计方法。
IEC 62374-1:2010相似标准
NF C96-017-1*NF EN 62374-1:2011 半导体器件.第1部分:金属层之间的时间相关的介质击穿(TDDB)试验.
DS/EN 62374-1/AC:2011 半导体器件 第1部分：金属间层的时间相关电介质击穿（TDDB）测试
DS/EN 62374-1:2011 半导体器件 第1部分：金属间层的时间相关电介质击穿（TDDB）测试
BS EN 62374-1:2010(2011) 半导体器件 第1部分：金属层间的时间相关介电击穿 (TDDB) 测试
EN 62374-1:2010 半导体器件.第1部分:金属层间时间相关的介质击穿(TDDB)试验[代替:CENELEC EN 62374]
推荐
29个半导体国家标准即将实施，12月1日有12个国标开始实施！
随着科技的不断进步，对半导体材料的性能也提出了更高的要求，推动了半导体材料技术的不断创新和发展。同时，半导体行业的相关标准也逐步细化。 我国现行有193个半导体相关国家标准，190个行业标准。分析测试百科网整理了即将实施的29个国家标准。其中12个国家标准2023年12月1日开始实施。7个国家标准2024年1月1日开始实施。...
Nature I Scientific Reports I 在不同尺度下分析有机发光二极管的粘附性
尽管未发现局部粘附的显著差异，但在第[3]层中观察到粗糙度的明显差异。这证实了第[3]层，即阳极和电致发光之间的界面，是影响OLED宏观粘附性能的主要因素。结果表明，采用不同长度尺度的显微技术，有机电致发光器件中的弱界面和宏观粘附的主要因素被揭示出来。这些结果可以为有机电致发光器件以及其它多层器件的宏观粘附提供有用的信息。此外，这些观察结果为改善有机电致发光器件界面层之间的粘附性提供了指导。 ...
物理所发现范德华异质结间的强耦合超快电荷传输
近年来，以石墨烯为代表、靠层间范德华力结合的二维材料已经成长为一个非常大的家族。这些范德华材料呈现出从绝缘体、半导体、金属，到超导体等各不相同的电子性质。以二硫化钼(MoS22）和二硫化钨(WS22）为代表的过渡族金属硫族化合物，因其合适的能带结构和光学性质，在光电子器件等用途中有着很好的应用前景。 ...
温度冲击试验标准解读
.-2009 4.3.9 转换时间应保证转换时间能反映寿命期剖面中实际温度冲击的相应时间。转换时间应尽可能短，但若转换时间大于1min，则应证明这些额外的时间是合理的。 风速GB/T 2423.22-2012 环境试验 第2部分 试验N:温度变化没有提到相关内容。在旧版本大概有提到，不大于2m/s。 ...