JB/T 11206-2011
硅压阻式微型、薄型压力传感器

Silicon piezoresistive miniature and thin line pressure sensors

JBT11206-2011, JB11206-2011


标准号
JB/T 11206-2011
别名
JBT11206-2011, JB11206-2011
发布
2011年
发布单位
行业标准-机械
当前最新
JB/T 11206-2011
 
 
引用标准
GB/T 13384-2008 GB/T 15478 GB/T 2423.1-2008 GB/T 2423.10-2008 GB/T 2423.15-2008 GB/T 2423.2-2008 GB/T 2423.22-2002 GB/T 2423.3-2006 GB/T 2423.5-1995 GB/T 2829-2002 GB/T 7665-2005 GB/T 7666-2005 JB/T 6172-2005 JB/T 9329-1999 JJG 624-2005
代替标准
AASHTO T 166-2013
适用范围
本标准规定了硅压阻式微型、薄型压力传感器的术语和定义、产品分类、基本参数、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存。 本标准适用于硅压阻式微型、薄型压力传感器(以下简称传感器)的生产、使用、验收等。

JB/T 11206-2011相似标准


推荐

大气压力传感器的设计与制造

如今基于MEMS技术得到广泛应用的压力传感器主要有和电容两大类,压力传感器的线性度很好,但精度一般,温漂大,一致性差;电容压力传感器与之相比,精度更高,温漂小,芯片结构更具鲁棒性,但线性度差且易受寄生电容的影响。目前MEMS电容压力传感器多用于过测量,用于气象压力测量的较少且价格昂贵。...

STS-压力传感器简介

压力传感器,广泛应用于各种工业自控环境,涉及水利水电、铁路交通、生产自控、航空航天、军工、石化、油井、电力、船舶、 管道等众多行业。1954 效应诞生,从此开始用制造压力传感器。早期的压力传感器是半导体应变计的。后来在N硅片上定域扩散P杂质形成电阻条,并接成电桥,制成芯片。此芯片仍需粘贴在弹性元件上才能敏感压力的变化。采用这种芯片作为敏感元件的传感器称为扩散压力传感器。...

压力传感器的原理及其应用电路设计

单晶效应包括n和p效应。选用扩散目的在于在设计制造压力传感器时可根据不同温度下扩散层的特性选择合适的扩散条件,力求使压力传感器具有良好的性能。多晶在传感器中有广泛的用途,可作为微结构和填充材料、敏感材料。 压力传感器按用途分类主要是压力监视、压力测量和压力控制及转换成其他量的测量。按供电方式分为和压电传感器,前者是被动供电的,需要有外电源。...

压力传感器分类及原理

02压力传感器压力传感器是指利用单晶材料的效应和集成电路技术制成的传感器。单晶材料在受到力的作用后,电阻率发生变化,通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。它又称为扩散压力传感器,它不同于粘贴应变计需通过弹性敏感元件间接感受外力,而是直接通过膜片感受被测压力的。压力传感器主要基于效应(Piezoresistive effect)。...


JB/T 11206-2011 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号