GJB 33/20-2011
半导体光电子器件 GH302型光电耦合器详细规范

Semiconductor optoelectronic device.Detail specification for type GH302 photocoupler


哪些标准引用了GJB 33/20-2011

 

找不到引用GJB 33/20-2011 半导体光电子器件.GH302型光电耦合器详细规范 的标准

GJB 33/20-2011

标准号
GJB 33/20-2011
发布
2011年
发布单位
国家军用标准-总装备部
当前最新
GJB 33/20-2011
 
 
引用标准
GJB 128A-1997 GJB 33A-1997 GJB 4027A-2006 GJB 548B-2005 SJ 2215-1982
本规范规定了GH302型光电耦合器(以下简称“器件”)的详细要求。 本规范适用于器件的研制、生产和采购。

GJB 33/20-2011相似标准


推荐

Nano Research综述:新材料在柔性光电子领域的开发及应用

同时,众多的研究者也已经在弯曲图像传感器、可穿戴显示器、生物集成光电子学和柔性半导体激光器等柔性光电子学方面取得了重大进展。然而,光电子学材料具有机械刚性和脆性,以及不易兼容伸缩器件的特点。近年来,人们已经努力克服了传统不可伸缩光电子器件的限制,特别是它们在弯曲、折叠和拉伸变形条件下的机械稳定性差等问题。...

王中林小组发明高效紫外发光二极管

王中林小组进一步把光引进压电电子学器件,致力于开发和研究力、电和光三相耦合器件。他们发现压电效应可优化光电池,提高光探测器的灵敏度。而最近的研究表明压电效应还可以显著提高氧化锌微纳米线发光二极管的电子—空穴复合效率,从而显著提高发光性能。这些力、电、光三相耦合的研究构成了一个全新的研究领域:压电光电子学(piezo-phototronics)领域。...

光谱仪上的CCD或ICCD是什么,作用是什么

固态成像器件固态成像器件是新一代的光电转换检测器,它是一类以半导体硅片为基材的光敏元件制成的多元阵列集成电路式的焦平面检测器,属于这一类的成像器件,目前较成熟的主要是电荷注入器件(CID)、电荷耦合器件(CCD)。...

Nano Energy:一种全透明的可见光响应的光敏神经突触器件

图1 pn结和TFT耦合器件的工作原理及光电响应性能图2 光敏神经突触器件用于视觉模拟的示意性方案及耦合器件在长程、短程可塑性和宽光谱响应方面的性能展示...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号