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论文详细讨论了n型GaSb的欧姆接触形成机理,以及形成欧姆接触的过程中遇到的元素原子间互扩散所引起的可靠性问题,提出在势垒层和接触层中加入扩散阻挡层,并用扫描隧道显微镜和X射线能谱仪对扩散阻挡效果进行了测试和分析。...
图3:CrI3中磁电阻的起源A: 在300 m K时,多个器件的磁阻比(黑圆圈)与CrI3层数之比;B: 多个器件的电阻面积与CrI3层数的关系;C: 用密度泛函理论计算三层石墨/三层CrI3异质结构的电子结构。图4:非弹性隧道谱A: 顶部在:施加零磁场时双层CrI3阻挡层器件(D2)的微分电导与直流偏压的关系。AC激励为200μV,温度为300mK。...
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