JB/T 12068-2014
TDR-Z直拉法锗单晶炉

TDR-Z germanium mono-crystal growing furnace by Czochralski method

JBT12068-2014, JB12068-2014


标准号
JB/T 12068-2014
别名
JBT12068-2014, JB12068-2014
发布
2014年
发布单位
行业标准-机械
当前最新
JB/T 12068-2014
 
 
引用标准
GB 150-2011 GB 3095-1996 GB/T 10066.1-2004 GB/T 10066.4-2004 GB/T 10067.1-2005 GB/T 10067.4-2005 GB/T 2900.23-2008 JB/T 9691-1999
适用范围
本标准规定了对TDR-Z直拉法锗单晶炉(以下简称锗单晶炉)产品的型号品种规格、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存及订购和供货等。本标准适用于直拉法拉制锗单晶的晶体炉。

JB/T 12068-2014相似标准


推荐

半导体材料的应用介绍

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉应用最广,80%的硅单晶、大部分单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉称为磁控拉晶,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...

半导体材料的制备方法

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉应用最广,80%的硅单晶、大部分单晶和锑化铟单晶是用此法生产的,其中硅单晶的最大直径已达300 毫米。在熔体中通入磁场的直拉称为磁控拉晶,用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉,用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。...

单晶硅的单晶硅制备与仿真

主要有两种方法:直拉(Cz)、区熔(FZ);1)直拉其优点是晶体被拉出液面不与器壁接触,不受容器限制,因此晶体中应力小,同时又能防止器壁沾污或接触所可能引起的杂乱晶核而形成多晶。此法制成的单晶完整性好,直径和长度都可以很大,生长速率也高。所用坩埚必须由不污染熔体的材料制成。因此,一些化学性活泼或熔点极高的材料,由于没有合适的坩埚,而不能用此法制备单晶体,而要改用区熔晶体生长或其他方法。...

单晶:半导体 晶圆制造的头道工序设备

将高纯多晶硅拉制成单晶硅主要有两个工艺,直拉(CZ)和区熔(FZ),这个过程涉及的设备是单晶。一、直拉原理通过在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将坩埚中的多晶硅熔化成液态硅(熔体),再用单晶硅的硅种与液态硅表面接触,一边旋转一边缓慢向上拉起,随着晶种在直拉过程中离开熔体,熔体上的液体会因为表面张力而提高,晶种上的界面散发热量并向下朝着熔体的方向凝固。...


JB/T 12068-2014 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号